Содержание
- 2. Н. М. Егоров Электроника
- 3. УДК 621.38 ББК 32.85 Е30 Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Электроника» подготовлен в рамках инновационной образовательной
- 4. План лекционного курса Модуль 1 Модуль 2 Модуль 3 Модуль 4 Материалы электронной техники и их
- 5. Модуль 1 Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Тема 1. Предмет электроники. Материалы электронной техники
- 6. Тема 2. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Тема 3. Биполярные транзисторы Тема 4. Тиристоры и симисторы Тема 5.
- 7. Тема 7. Основы технологии микроэлектронных изделий. Базовые ячейки аналоговых и цифровых интегральных схем План лекционного курса
- 8. Тема 8. Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Тема 9. Перспективы развития электроники.
- 9. Тема 1 Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Лекция 1 Лекция 2 Лекция
- 10. 1. Предмет электроники 1.1. Введение 1.2. Направления развития электроники 1.3. Краткая история развития электроники 1.4. Материалы
- 11. 1.4.6. Классическая физика не может объяснить существования атомов 1.4.7. Зонная теория твердого тела и статистика носителей
- 12. 1.4.17. Электропроводность твердых тел 1.4.18. Электропроводность металлов и диэлектриков – элементарное представление 1.4.19. Электропроводность полупроводников 1.4.20.
- 13. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Предмет электроники Материалы электронной техники и их
- 14. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Направления развития электроники Основные направления развития электроники
- 15. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Краткая история развития электроники Прогресс и перспективы
- 16. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Структура кристаллической решетки твердых тел а б
- 17. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Кристаллическая структура и типы межатомных связей полупроводников
- 18. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Индексы Миллера Пояснение понятия индексов Миллера Кристаллографические
- 19. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Индексы Миллера Кристаллическая решетка GaAs в плоскости
- 20. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Дефекты кристаллической решетки Точечные дефекты кристалла: а
- 21. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Движение в пространстве с периодическим потенциалом Потенциальная
- 22. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Движение в пространстве с периодическим потенциалом Модель
- 23. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Движение в пространстве с периодическим потенциалом Зависимость
- 24. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Зоны Бриллюэна Перенос энергии невозможен при волновом
- 25. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Зоны Бриллюэна Энергетические диаграммы Ge, Si и
- 26. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Плотность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического
- 27. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Плотность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического
- 28. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Статистика носителей заряда в полупроводниках Одно из
- 29. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Статистика носителей заряда в полупроводниках Функции распределения
- 30. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Зонная структура собственных и примесных полупроводников Зонная
- 31. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Зонная структура собственных и примесных полупроводников Значения
- 32. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Зонная структура металлов и диэлектриков Зонная энергетическая
- 33. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках
- 34. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Электропроводность металлов и диэлектриков – элементарное представление
- 35. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Электропроводность полупроводников Материалы электронной техники и их
- 36. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Дрейф носителей заряда в полупроводниках Материалы электронной
- 37. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Дрейф носителей заряда в полупроводниках Материалы электронной
- 38. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Диффузия носителей заряда в полупроводниках Материалы электронной
- 39. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Диффузия носителей заряда в полупроводниках Материалы электронной
- 40. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Диффузия носителей заряда в полупроводниках (продолжение) Материалы
- 41. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Диффузия носителей заряда в полупроводниках Материалы электронной
- 42. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Диффузия носителей заряда в полупроводниках Материалы электронной
- 43. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Плотность полного тока Материалы электронной техники и
- 44. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Уравнение непрерывности Материалы электронной техники и их
- 45. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Уравнение непрерывности (продолжение) Материалы электронной техники и
- 46. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Уравнение непрерывности (продолжение) Материалы электронной техники и
- 47. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Явления в сильных электрических полях Материалы электронной
- 48. Предмет электроники. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства Дрейф носителей заряда в сильных электрических полях
- 49. Тема 2 p–n-переход. Полупроводниковые диоды Лекция 4 Лекция 5 Выбор темы Полупроводниковые приборы: физические основы работы,
- 50. 2. p–n-переход 2.1. Механизм образования p–n-перехода 2.2. p–n-переход в равновесном состоянии 2.3. Анализ неравновесного p–n-перехода 2.4.
- 51. 2.6. Разновидности полупроводниковых диодов 2.6.1. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики
- 52. p–n-переход. Полупроводниковые диоды p–n-переход Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Контакт двух полупроводников
- 53. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Механизм образования p–n-перехода Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Зонная
- 54. p–n-переход. Полупроводниковые диоды p–n-переход в равновесном состоянии Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 55. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Анализ неравновесного р–n-перехода Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Смещение
- 56. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 57. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 58. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 59. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 60. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 61. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 62. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика идеального диода (формула Шокли) Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 63. p–n-переход. Полупроводниковые диоды p–n-переход при прямом и обратном напряжении. Механизмы пробоя p–n-перехода (туннельный, лавинный, тепловой) Полупроводниковые
- 64. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Разновидности полупроводниковых диодов Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Прибор,
- 65. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры
- 66. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры
- 67. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры
- 68. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры
- 69. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры
- 70. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока Полупроводниковые
- 71. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока Полупроводниковые
- 72. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока Полупроводниковые
- 73. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока Полупроводниковые
- 74. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока Полупроводниковые
- 75. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока Полупроводниковые
- 76. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Модели выпрямительных диодов Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Линейная
- 77. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 78. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 79. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 80. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 81. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 82. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 83. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 84. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Стабилитроны. Характеристики, параметры, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 85. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Туннельный диод. Зонная диаграмма и ВАХ, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 86. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Туннельный диод. Зонная диаграмма
- 87. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Туннельный диод. Зонная диаграмма и ВАХ, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 88. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Туннельный диод. Зонная диаграмма и ВАХ, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 89. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Туннельный диод. Зонная диаграмма и ВАХ, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 90. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Туннельный диод. Зонная диаграмма и ВАХ, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 91. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Варикап. Принцип действия, применение Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 92. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Импульсные диоды Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Импульсный режим
- 93. p–n-переход. Полупроводниковые диоды Импульсные диоды Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Устройство мезадиода
- 94. Тема 3 Биполярные транзисторы Лекция 6 Лекция 7 Выбор темы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 95. 3. Биполярные транзисторы 3.1. Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические
- 96. Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Полупроводниковый прибор, имеющий
- 97. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 98. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 99. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 100. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 101. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 102. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 103. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 104. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 105. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 106. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 107. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 108. Биполярные транзисторы Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, *ОК). Статические ВАХ и
- 109. Биполярные транзисторы Режимы работы биполярных транзисторов Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Типовая
- 110. Биполярные транзисторы Режимы работы биполярных транзисторов Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение К
- 111. Биполярные транзисторы Понятие о классах усиления. Работа БТ в ключевом режиме Полупроводниковые приборы: физические основы работы,
- 112. Биполярные транзисторы Понятие о классах усиления. Работа БТ в ключевом режиме Полупроводниковые приборы: физические основы работы,
- 113. Биполярные транзисторы Понятие о классах усиления. Работа БТ в ключевом режиме Полупроводниковые приборы: физические основы работы,
- 114. Биполярные транзисторы Понятие о классах усиления. Работа БТ в ключевом режиме Полупроводниковые приборы: физические основы работы,
- 115. Биполярные транзисторы Влияние внешних условий на характеристики и параметры БТ. Проблема стабилизации рабочей точки и усиления
- 116. Биполярные транзисторы Влияние внешних условий на характеристики и параметры БТ. Проблема стабилизации рабочей точки и усиления
- 117. Биполярные транзисторы Источники собственных шумов в БТ Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 118. Биполярные транзисторы Источники собственных шумов в БТ Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 119. Биполярные транзисторы Модели биполярных транзисторов. Малосигнальные высокочастотные эквивалентные схемы БТ (П- и Т-образные). Модель Эберса –
- 120. Биполярные транзисторы Модели биполярных транзисторов. Малосигнальные высокочастотные эквивалентные схемы БТ (П- и Т-образные). Модель Эберса –
- 121. Биполярные транзисторы Модели биполярных транзисторов. Малосигнальные высокочастотные эквивалентные схемы БТ (П- и Т-образные). Модель Эберса –
- 122. Биполярные транзисторы Модели биполярных транзисторов. Малосигнальные высокочастотные эквивалентные схемы БТ (П- и Т-образные). Модель Эберса –
- 123. Тема 4 Тиристоры и симисторы Лекция 11 Выбор темы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 124. 4.1. Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Тема 4 Тиристоры
- 125. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Тиристоры
- 126. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Вольт-амперная
- 127. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Вольт-амперные
- 128. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Простейшая
- 129. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Вольт-амперная
- 130. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Структура
- 131. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Условные
- 132. Тиристоры и симисторы Тиристоры и симисторы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение Генератор
- 133. Тема 5 Полевые транзисторы Лекция 12 Выбор темы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели,
- 134. 5.1. Классификация полевых транзисторов. Принцип действия полевого транзистора 5.2. Структура и принцип действия ПТ с управляющим
- 135. Полевые транзисторы Классификация полевых транзисторов. Принцип действия полевого транзистора Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 136. Полевые транзисторы Классификация полевых транзисторов. Принцип действия полевого транзистора Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 137. Полевые транзисторы Классификация полевых транзисторов. Принцип действия полевого транзистора Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 138. Полевые транзисторы Структура и принцип действия полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и полевого транзистора с барьером
- 139. Полевые транзисторы Структура и принцип действия полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и полевого транзистора с барьером
- 140. Полевые транзисторы Структура и принцип действия полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и полевого транзистора с барьером
- 141. Полевые транзисторы Структура и принцип действия полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и полевого транзистора с барьером
- 142. Полевые транзисторы Классификация полевых транзисторов. Принцип действия полевого транзистора Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры,
- 143. Полевые транзисторы Структура и принцип действия МОП-транзистора Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 144. Полевые транзисторы Структура и принцип действия МОП-транзистора Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики, параметры, модели, применение
- 145. Полевые транзисторы Основные схемы включения ПТ. Применение полевых транзисторов в схемах усиления. Работа ПТ в импульсном
- 146. Полевые транзисторы Основные схемы включения ПТ. Применение полевых транзисторов в схемах усиления. Работа ПТ в импульсном
- 147. Полевые транзисторы Основные схемы включения ПТ. Применение полевых транзисторов в схемах усиления. Работа ПТ в импульсном
- 148. Полевые транзисторы Основные схемы включения ПТ. Применение полевых транзисторов в схемах усиления. Работа ПТ в импульсном
- 149. Полевые транзисторы Основные схемы включения ПТ. Применение полевых транзисторов в схемах усиления. Работа ПТ в импульсном
- 150. Полевые транзисторы Линейные и нелинейные модели полевых транзисторов для ВЧ и СВЧ Полупроводниковые приборы: физические основы
- 151. Полевые транзисторы Линейные и нелинейные модели полевых транзисторов для ВЧ и СВЧ Полупроводниковые приборы: физические основы
- 152. Тема 6 Фотоэлектрические и излучательные приборы Лекция 16 Выбор темы Полупроводниковые приборы: физические основы работы, характеристики,
- 153. 6.1. Излучательная генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках под действием излучения 6.2. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы,
- 154. Излучательная генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках под действием излучения Фотоэлектрические и излучательные приборы Полупроводниковые
- 155. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение I Ф U = const I Ф
- 156. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение Rн Е Схема включения фотодиода для работы
- 157. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение Фотоэлектрические и излучательные приборы Полупроводниковые приборы: физические
- 158. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение Э К Rн – Е + Б
- 159. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение Ф – E + Rн П1 П2
- 160. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение 1 1 2 2 3 Оптопары с
- 161. Зонная модель и инжекционные свойства гетеропереходов n – GaAs p – Ge ΔEc ΔEv Прямое смещение
- 162. Тема 7 Основы технологии микроэлектронных изделий. Базовые ячейки аналоговых и цифровых интегральных схем Лекция 18 Выбор
- 163. 7.1. Предмет микроэлектроники. Классификация интегральных схем 7.2. Технология полупроводниковых интегральных схем 7.2.1. Подготовительные операции 7.2.2. Эпитаксия
- 164. Основы технологии микроэлектронных изделий. Базовые ячейки аналоговых и цифровых интегральных схем Подготовительные операции Основы технологии микроэлектронных
- 165. Подготовительные операции Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Основы технологии микроэлектронных изделий. Базовые ячейки
- 166. Эпитаксия Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Эпитаксией называют процесс наращивания монокристаллических слоев на
- 167. Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Примеры эпитаксиальных структур: а – пленка n-типа на
- 168. Термическое окисление Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Окисление кремния – один из самых
- 169. Термическое окисление Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Функции двуокисной пленки кремния: а –
- 170. Легирование Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Внедрение примесей в исходную пластину (или в
- 171. Легирование Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Схема двухзонной диффузионной печи: 1 – кварцевая
- 172. Травление Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Локальное травление кремния: а – изотропное; б
- 173. Техника масок Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Фотолитография Фрагмент фотошаблона Этапы процесса фотолитографии:
- 174. Нанесение тонких пленок Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Основы технологии микроэлектронных изделий. Базовые
- 175. Нанесение тонких пленок Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Схема установки ионно-плазменного напыления Основы
- 176. Металлизация Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Получение металлической разводки методом фотолитографии Основы технологии
- 177. Металлизация Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Многослойная металлическая разводка Основы технологии микроэлектронных изделий.
- 178. Сборочные операции Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Основы технологии микроэлектронных изделий. Базовые ячейки
- 179. Сборочные операции Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем Монтаж кристалла на ножке корпуса Основы
- 180. Тема 8 Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Лекция 24 Выбор темы Приборы
- 181. 8.1. Электровакуумные приборы – общие сведения, классификация 8.2. Физические основы работы электровакуумных приборов 8.3. Приборы на
- 182. Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Электровакуумные приборы: общие сведения, классификация Приборы вакуумной
- 183. Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Электровакуумные приборы: общие сведения, классификация Приборы вакуумной
- 184. Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Физические основы работы электровакуумных приборов Приборы вакуумной
- 185. Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Приборы на основе автоэлектронной эмиссии Приборы вакуумной
- 186. Основные типы электровакуумных приборов, их принципы работы и применение Приборы на основе автоэлектронной эмиссии Приборы вакуумной
- 187. Тема 9 Перспективы развития электроники. Наноэлектроника – исторический этап развития электроники Лекция 26 Выбор темы Приборы
- 188. 9.1. Перспективы развития электроники 9.2. Квантовые основы наноэлектроники 9.3. Технологические особенности формирования наноструктур и элементы наноэлектроники
- 189. Перспективы развития электроники Приборы вакуумной электроники. Перспективы развития электроники. Эволюция элементной базы электроники Перспективы развития электроники
- 190. Квантовые основы наноэлектроники Приборы вакуумной электроники. Перспективы развития электроники Туннелирование электрона через потенциальный барьер Одноэлектронное туннелирование
- 191. Технологические особенности формирования наноструктур Приборы вакуумной электроники. Перспективы развития электроники Нанотехнологическая установка: а – схема нанотехнологической
- 193. Скачать презентацию