Полевые транзисторы

носители заряда под действием продольного электрического поля,
а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

транзистора при зависимости тока стока Iс от Uси напряжения. На стартовом участке характеристик электроэнергия стока возрастает с увеличением Uси, далее осуществляется перекрытие канала, и прирост тока Iс останавливается.

затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на исток -, хотя без разницы) на исток. Ток при этом проходит через транзистор, точнее через n+ слой, так как имеются носители заряда - электроны. Ток через p слой не течёт вследствие подсоединения к нему отрицательного потенциала напряжения от истока.(этот случай соответствует рисунку)
2.Уменьшаем потенциал затвора (U<0), за счёт эффекта поля отрицательное напряжение на затворе отталкивает отрицательно заряженные электроны под затвором подальше от затвора, канал при этом сужается, пока вовсе не исчезает вследствие полного обеднения n слоя под затвором электронами, которые являются единственными носителями заряда.Пороговое напряжение, при котором канал полностью исчезает называется напряжением отсечки. Тока через транзистор нет. 3.Увеличиваем потенциал затвора(U>0), при положительном потенциале вследствие того же эффекта поля положительный потенциал уже притягивает электроны, поэтому канал расширяется за счёт электронов под истоком и стоком и ток при напряжении насыщения становится максимальным. Нетрудно догадаться, что при максимальном токе глубина n слоя везде одинакова.

- с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.