Дифракция в кристаллах

Сентябрь 3, 2022

Главная
Алгебра
Дифракция в кристаллах

Содержание

2. Дифракция в кристаллах 2. Условие дифракции Лауэ 3. Эквивалентность формулировок Брэгга и Лауэ
3. Уравнение Лауэ для амплитуды рассеяния
4. Структурный фактор базиса 6666 Структурный фактор ОЦК решетки
5. Структурный фактор ГЦК решетки 6666
6. Атомный фактор рассеяния 6666 Форм-фактор углерода Форм-фактор алюминия
7. Температурная зависимость линий отражения 6666 Множитель Дебая-Уоллера Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов (h00) для алюминия
8. Фактор поглощения 6666 Рентгеновское излучение, рассеянное кристаллом, значительно поглощается в нем. Поглощение зависит от угла рассеяния
9. Множитель Лорентца 6666 Реальные кристаллы являются мозаичными, т. е. состоят из блоков, повернутых друг относительно друга
10. Интегральная интенсивность дифракционных максимумов 6666 С учетом всех факторов формулы интегральной интенсивности дифракционных максимумов для малых
11. Экспериментальные методы рентгеновского спектроскопического анализа 6666 Построение Эвальда Монохроматическое излучение (λ = сonst) Немонохроматическое излучение (
12. МЕТОД ЛАУЭ Схема камеры Лауэ Дифракционная картина
13. МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛА Схема камеры в методе вращающегося кристалла Построение Эвальда для метода вращающегося кристалла Типичная
14. МЕТОД ДЕБАЯ-ШЕРРЕРА Схема камеры в методе Дебая-Шеррера Рентгенограммы кремния, полученные методом Дебая-Шеррера: а) на пленке; б)
16. Скачать презентацию

Слайд 2

Дифракция в кристаллах
2. Условие дифракции Лауэ
3. Эквивалентность формулировок
Брэгга и Лауэ

Слайд 3

Уравнение Лауэ для амплитуды рассеяния

Слайд 4

Структурный фактор базиса
6666
Структурный фактор ОЦК решетки

Слайд 5

Структурный фактор ГЦК решетки
6666

Слайд 6

Атомный фактор рассеяния
6666
Форм-фактор
углерода
Форм-фактор алюминия

Слайд 7

Температурная зависимость линий отражения
6666
Множитель Дебая-Уоллера
Температурная зависимость
интенсивности дифракционных
максимумов (h00) для алюминия

Слайд 8

Фактор поглощения
6666
Рентгеновское излучение, рассеянное кристаллом, значительно поглощается в нем. Поглощение зависит

от угла рассеяния , плотности вещества и линейного коэффициента рассеяния . При расчете интенсивности поглощение учитывают, вводя в формулу множитель (фактор) поглощения .

При получении рентгенограмм от поликристаллических образцов интенсивность дифракционных линий также зависит от вероятности нахождения кристаллитов в отражающем положении. Эта вероятность зависит от числа эквивалентных плоскостей {hkl}.
Число эквивалентных плоскостей р, называемое множителем (фактором) повторяемости, зависит от симметрии кристалла.
Так, для кубического кристалла р имеет следующие значения:
12 — для {110}, 8 — для {111} и 6 — для {100}.

Фактор повторяемости

Слайд 9

Множитель Лорентца
6666
Реальные кристаллы являются мозаичными, т. е. состоят из блоков, повернутых

друг относительно друга на малые углы. По этой причине мозаичный кристалл отражает не только под брэгговским углом, но и в некотором угловом интервале ( ).

Для учета влияния на интенсивность отраженных лучей мозаичности кристалла, а также геометрии съемки в формулу интенсивности вводят множитель Лорентца:

Рассеяние рентгеновских лучей электронами

- для монокристаллов,
- для поликристаллов

Слайд 10

Интегральная интенсивность дифракционных максимумов
6666
С учетом всех факторов формулы интегральной интенсивности дифракционных

максимумов для малых или мозаичных кристаллов имеют вид:

(для поликристаллов)

(для монокристаллов)

Слайд 11

Экспериментальные методы рентгеновского спектроскопического анализа
6666
Построение Эвальда
Монохроматическое
излучение (λ = сonst)
Немонохроматическое

излучение ( )

Слайд 12

МЕТОД ЛАУЭ
Схема камеры Лауэ
Дифракционная картина

Слайд 13

МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛА
Схема камеры в методе
вращающегося кристалла
Построение Эвальда для
метода вращающегося
кристалла
Типичная

рентгенограмма
при вращении кристалла

Слайд 14

МЕТОД ДЕБАЯ-ШЕРРЕРА
Схема камеры в методе Дебая-Шеррера
Рентгенограммы кремния, полученные методом
Дебая-Шеррера: а)

на пленке; б) с помощью счетчика

а)

б)

Дифракция в кристаллах

Содержание

Дифракция в кристаллах2. Условие дифракции Лауэ3. Эквивалентность формулировок Брэгга и Лауэ

Уравнение Лауэ для амплитуды рассеяния

Структурный фактор базиса6666Структурный фактор ОЦК решетки

Структурный фактор ГЦК решетки6666

Атомный фактор рассеяния6666Форм-факторуглеродаФорм-фактор алюминия

Температурная зависимость линий отражения6666Множитель Дебая-УоллераТемпературная зависимостьинтенсивности дифракционныхмаксимумов (h00) для алюминия

Фактор поглощения6666Рентгеновское излучение, рассеянное кристаллом, значительно поглощается в нем. Поглощение зависит

Множитель Лорентца6666Реальные кристаллы являются мозаичными, т. е. состоят из блоков, повернутых

Интегральная интенсивность дифракционных максимумов6666С учетом всех факторов формулы интегральной интенсивности дифракционных

Экспериментальные методы рентгеновского спектроскопического анализа6666Построение ЭвальдаМонохроматическое излучение (λ = сonst) Немонохроматическое

МЕТОД ЛАУЭСхема камеры ЛауэДифракционная картина

МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛАСхема камеры в методевращающегося кристаллаПостроение Эвальда дляметода вращающегося кристаллаТипичная

МЕТОД ДЕБАЯ-ШЕРРЕРАСхема камеры в методе Дебая-ШеррераРентгенограммы кремния, полученные методом Дебая-Шеррера: а)

Похожие презентации