Содержание
- 2. Литография (от греческих «lithos» — камень и «grapho» — пишу, рисую), способ печати, при котором оттиски
- 3. Если минимальный размер элементов Lmin (топологическая норма) ИМС и ИМП лежит в микронной области 1,0 мкм
- 5. Задача фотолитографии — обеспечить качественное формирование топологических решений на всем поле кремниевой пластины с соблюдением допускаемых
- 7. Robert Doering, Yoshio Nishi. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology. Second Edition, CRC Press. New York, 2008
- 8. Технологический процесс (маршрут) изготовления кристаллов ИС характеризуется строго заданной последовательностью проведения операций (не допускается перестановка последовательности
- 9. Классификация литографических процессов ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ «ТЕХНОЛОГИЯ НАНОЛИТОГРАФИИ» ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ БЛОК БАЗОВЫХ ЗНАНИЙ. Лекции. д.т.н. Киреев В.Ю., М.,
- 10. Три способа ионного экспонирования поверхности подложки (три типа ионной литографии): a – ионно-лучевая литография сфокусированным программируемо
- 11. Схема проекционной электронной литографии Схема установки рентгеновской литографии Схема экспонирования коллимированным ионным пучком Сформированная маска затворной
- 12. Схема системы теневой рентгеновской литографии с зазором между шаблоном и пластиной (1:1 proximity X-ray lithography или
- 13. Виды наноимпринтной литографии
- 14. Примеры импринт литографии 1. PDMS печать с тиолом 2. Привод в контакт 3. Молекулы переходят 4.
- 15. Inkjet Imprint fluid dispenser Planarization layer Substrate Low viscosity fluid (Si-containing for S-FIL, Organic for S-FIL/R)
- 16. Примеры импринт литографии John A. Rogers, University of Illinois, Urbana-Champaing, http://rogers.mse.uiuc.edu/files%5C2006%5Cieeenano.pdf Печатание с помощью штампа сделанного
- 17. Хаснатдинов Н. Обзор S-FIL наноимпринт литографии и последние результаты для CMOS и других наноприложений. – Презентация
- 19. Используемые в литографии источники излучения и соответствующие длины волн
- 21. Материалы, чувствительные к излучению, называют соответственно фото-, рентгено- и электронорезистами. Это в основном полимерные материалы, устойчивые
- 22. Фоторезисты - сложные полимерные композиции, в состав которых входят светочувствительные и пленкообразующие компоненты, растворители, некоторые добавки,
- 23. Процессный модуль (микромаршрут) нанолитографии (без контрольных операций) может состоять из следующих операций [1]: - подготовка поверхности
- 24. Базовый технологический маршрут оптической нанолитографии ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ «ТЕХНОЛОГИЯ НАНОЛИТОГРАФИИ» ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ БЛОК БАЗОВЫХ ЗНАНИЙ. Лекции. д.т.н. Киреев
- 28. «Lift –off» процесс, основанный на применении двухслойного резиста. используется для получения металлических линий нанометрового масштаба.
- 29. Основные свойства фоторезистов Светочувствительность S = 1/H - величина, обратная экспозиции (Выражается в лквеличина, обратная экспозиции
- 30. Необходимо различать разрешающую способность фоторезиста и процесса фотолитографии в целом. Так, при разрешающей способности резиста до
- 32. Кривые на рисунке показывают сколько ф/р остается на подложке после экспонирования и проявления в зависисмости от
- 33. Системы проекционной фотолитографии характеризуются двумя основными параметрами: минимальным размером Lmin и глубиной фокуса Df, определяемым по
- 34. Для больших θ NA ≡ n ・ sin θ, где n — коэффициент преломления среды между
- 35. Тенденции в изменении длин затворов и шага металлизации (а) и (b) минимального разрешения и глубины фокуса
- 37. Основные факторы, ограничивающие разрешение проекционной фотолитографии. В современном оборудовании проекционной оптической фотолитографии (оптической ПФЛ) проецирование топологического
- 38. Аберрации делятся на монохроматические (или геометрические) и хроматические. Монохроматические аберрации ОС наблюдаются при монохроматическом излучении (на
- 39. Основные типы монохроматических аберраций: a – сферическая аберрация; b –астигматизм; c – дисторсия; d – кома;
- 40. Сферическая аберрация – это дефект изображения, при котором фокальная позиция лучей, проходящих через центральную часть апертуры
- 41. Проверка ОС оборудования ПФЛ на наличие в них аберраций обычно проводится с помощью определения коэффициентов в
- 42. Дифракция света - это перераспределение интенсивности световых волн в результате присутствия в среде распространения объекта с
- 43. Исчезновение не экспонируемого промежутка между двумя линиями в проявленном позитивном фоторезисте в процессе проекционной оптической фотолитографии.
- 44. Дифракцией Фраунгофера или дифракцией в параллельных лучах называется дифракция плоских волн, когда источник света и точка
- 45. Зависимость ширины окна (линии), полученной в проявленном позитивном ФР толщиной 1 мкм, от дозы экспонирования окна
- 46. Стоячая волна - волна, возникающая в результате наложения (суперпонирования) двух волн, распространяющих во взаимно противоположных направлениях
- 47. Возникновение стоячей волны в пленке фоторезиста в результате интерференции между падающим и отраженным светом Монохроматическое излучение
- 48. Стоячие волны в фоторезисте вызывают появление интерференционных полос Эффект стоячих волн на краю проявленного позитивного фоторезиста
- 49. Кроме оптики, на процесс формирования топологического рисунка в слое ФР оказывают влияние параметры механических систем перемещения
- 50. Изображение узкой щели в фотошаблоне на поверхности фоторезиста с помощью оптической системы проекционной фотолитографии (ОС ПФЛ):
- 51. Дифракционные искажения изображения топологического рисунка фотошаблона на поверхности фоторезиста, передаваемого с помощью оптической системы проекционной фотолитографии.
- 52. Если распределение интенсивности в синусоидальном излучении представить в виде ряда (интеграла) Фурье, то можно определить функцию
- 53. Модуляция в 60% соответствует Imax=80% и Imin=20% интенсивности света, пропущенного дифракционными элементами объектива. При MTF =
- 54. Зависимость значения функции передачи модуляции (ФПМ) от толщины фоторезиста: A – толщина 0,4 мкм; B –
- 55. Зависимость значения функции передачи модуляции (ФПМ) от величины расфокусировки оптической системы: 0,1 период/мкм соответствует ширине линии
- 56. Изображение рисунка произвольной формы не может быть получено на основании только функции передачи модуляции объектива (MTFob),
- 57. В идеальном линейном литографическом процессе любое изменение параметров маски должно приводить к идентичным изменениям размеров на
- 58. В системе формирования изображения на основе линз с круговой апертурой радиусом r на дистанции z от
- 59. Разрешение в оптике определяется, как способность достигать отдельного изображения (отдельного выделения, видения) компонентов объекта или группы
- 60. Аналогия между разрешением ОС и оптической ПФЛ является неполной, т.к. предел разрешения для любой оптической проекционной
- 61. Схема выходного узла системы проекционной фотолитографии (ПФЛ): D - диаметр выходной проекционной линзы; f - фокусное
- 62. Вторым важным параметром оптической ПФЛ является глубина фокуса Df (deep of focus или DoF) (рис. 3.28),
- 63. Третьим важным параметром является площадь (размер) рабочего поля изображения или литографического поля. Площадь FL вокруг оптической
- 65. Направления повышения ее разрешающей способности Анализ формулы для разрешающей способности оптической нанолитографии (оптической ПФЛ) показывает, что
- 66. Техника повышения разрешения фотолитографического процесса 1. Использование вне осевого освещения 2. Иммерсионная литография 3. Использование различных
- 67. 1. Использование вне осевого освещения (off-axis illumination - OAI) фотошаблона (ФШ) путем вырезания с помощью диафрагм
- 68. Основной проблемой получения субмикронных размеров с использованием проекционной литографии является дифракция света на элементах шаблона, которые
- 69. Метод ИУФЛ позволяет значительно увеличить числовую апертуру проекционных систем за счет изменения угла полного отражения на
- 70. 2. Использование различных типов поляризации экспонирующего излучения. Применение линейной, азимутальной или радиальной поляризации экспонирующего излучения, позволяет
- 71. 3. Проведение коррекции эффектов оптической близости (optical proximity correction - OPC) элементов топологического рисунка на фотошаблоне
- 72. 4. Использование фазосдвигающих фотошаблонов (ФШ) (phase shift mask - PSM), позволяющих так изменять фазу и коэффициент
- 73. 5. Использование пленок контрастоусиливающих материалов поверх слоя фоторезиста (ФР), позволяющих повысить контраст передачи изображения в ФР
- 74. Оптимальное применение перечисленной техники повышения разрешения к системам не иммерсионной оптической ПФЛ позволяет достичь значений k1
- 75. Дальнейшее повышение разрешения иммерсионной оптической ПФЛ связано с разработкой техники многократного экспонирования (multiple patterning - MPT)
- 76. Успешное применение техники многократного экспонирования к иммерсионной оптической ПФЛ, сдвинуло топологические нормы, характеризующие уровни технологии (УТ),
- 80. Сдвиг фазы зависит от толщины и типа используемого материала, необходимую толщину материала для сдвига по фазе
- 83. Схематическое изображение безхромного PSM (слева) и тонкие линии, которые он формирует на поверхности фоторезиста (справа).
- 84. Поскольку все фазосдвигающие границы формируют узкие темные линии на фоторезисте, только замкнутые области могут обрабатываться с
- 85. Варианты коррекции оптического эффекта близости. (a) — без OPC; (b) — простое OPC (коррекция размеров элементов);
- 88. Перед нанесением фоточувствительного резистивного слоя на подложку наносится тем или иным способом специальное антиотражающее покрытие. Этот
- 89. Схемы литографического процесса с двойным резистом разной полярности. На первом этапе на подложку с ранее организованным
- 91. Hexamethyldisilazane
- 93. Для получения структур с разрешением знгачительно ниже 100 нм становится обоснованным использование принципильно новых способов экспонирования.
- 94. ЭУФ-литография Преимущества: - ЭУФЛ является оптической и проекционной, используются стеклянные заготовки для шаблонов; - может быть
- 97. Вид структуры: a - после операции формирования маски (М) из фоторезиста (ФР); b - после операции
- 98. Структура, выходящая с операции формирования маски (а), характеризуется следующими параметрами: - материал маскирующего покрытия (маски) и
- 99. На структуре, выходящей с операции травления функционального слоя (входной структуре), необходимо обеспечить получение следующих характеристик (параметров)
- 100. Структура хромового фотошаблона и области расположения технологической и служебной информации (отечественный вариант обозначений) Введение в дизайн
- 101. Структура хромового фотошаблона и области расположения технологической и служебной информации (международный вариант обозначений) Handbook of photomask
- 102. Расположение координатной системы фотошаблона (вверху) относительно пластины (внизу) (фотошаблон расположен хромированной стороной вниз)
- 103. Геометрия меток на фотошаблоне (ФШ) для предварительного совмещения ФШ и пластины (ФШ расположен хромированной стороной вниз;
- 104. Геометрия меток на фотошаблоне (ФШ) для точного совмещения ФШ и пластины (ФШ расположен хромированной стороной вниз;
- 105. Для совмещения полей экспонирования используются локальные метки совмещения, которые располагаются в дорожках резов (в скрайберных дорожках)
- 106. Общая схема процесса производства фотошаблонов Маршрут производства фотошаблонов (ФШ) состоит из нескольких основных этапов – проектирование
- 107. Топология кристалла является входной информацией для подготовки управляющей информации, используемой при проектировании ФШ Общая схема подготовки
- 108. Заказчик должен заполнить специальную форму заказа, в которой указываются все топологические слои для изготовления, критические размеры,
- 109. В соответствии со спецификацией по формированию фрейма (рамки) для ФШ и картой заказа проводится подготовка управляющей
- 110. Технологический маршрут изготовления фотошаблонов для оптической нанолитографии Введение в дизайн фотошаблонов для микро- и наносистем Synopsys.
- 119. Расчетные данные объема обрабатываемой информации при проектировании фотошаблонов для уровня технологии 130-65 нм.
- 121. трековая линия нанесения ФР
- 122. Нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластины методом центрифугирования: a - схема центрифуги; b - фотография центрифуги;
- 123. Установки контактной печати
- 124. Модуль нанесения центрифугированием Жидкостная многомодульная трековая система формирования фоторезистивной маски компании DNS - K-SPIN 12/8
- 125. Иммерсионный сканер NSR-S630D компании Nicon
- 126. Специализированное кластерное производственное оборудование компании AMAT для вакуумно-плазменной обработки, травления и удаления маскирующих покрытий и функциональных
- 127. оборудование для ультрафиолетовой вакуумной фотолитографии (Extreme Ultraviolet Light Photolithography Tool).
- 128. Схема линейного кластерного производственного участка с технологическим оборудованием.
- 130. Скачать презентацию