Квантовая интерференция сквиды

Содержание

Слайд 2

Характеристики интерферометра Одинаковые переходы

Характеристики интерферометра

Одинаковые переходы

Слайд 3

ПТ-СКВИД потокозапирающей системы Можно сделать отрицательную обратную связь в схеме СКВИДа.

ПТ-СКВИД потокозапирающей системы

Можно сделать отрицательную обратную связь в схеме СКВИДа. Т.е

поместить доп. катушку в контур, на которую подать компенсирующий сигнал. Этот сигнал будет компенсировать изменение измеряемого внешнего потока Фе
Слайд 4

Практические конструкции ПТ-СКВИДов Точечно-контактный СКВИД Циммермана-Сильвера

Практические конструкции ПТ-СКВИДов

Точечно-контактный СКВИД Циммермана-Сильвера

Слайд 5

Практические конструкции ПТ-СКВИДов Тонкопленочные ПТ-СКВИДы (Мерсеро и др.) На подложке, слабая связь – мостик

Практические конструкции ПТ-СКВИДов

Тонкопленочные ПТ-СКВИДы (Мерсеро и др.)
На подложке, слабая связь

– мостик
Слайд 6

Практические конструкции ПТ-СКВИДов ПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)

Практические конструкции ПТ-СКВИДов

ПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)

Слайд 7

Практические конструкции ПТ-СКВИДов ПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.) Разрез:

Практические конструкции ПТ-СКВИДов

ПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)

Разрез:

Слайд 8

Практические конструкции ПТ-СКВИДов ПТ-СКВИДы на торцевых мостиках из Nb3Ge (Ди Лорио, де Лозанн, Бисли)

Практические конструкции ПТ-СКВИДов

ПТ-СКВИДы на торцевых мостиках из Nb3Ge
(Ди Лорио, де

Лозанн, Бисли)
Слайд 9

Слабые связи и СКВИДы из ВТСП Некоторые оценки. 1) Чтобы при

Слабые связи и СКВИДы из ВТСП

Некоторые оценки.
1) Чтобы при Т≈TN≈78 K

получить для ВТСП СКВИДа такое же отношение сигнал/шум как для гелиевых СКВИДов из обычных сверхпроводников, надо Ic увеличить в Т/TN≈20 раз.
Действительно, безразмерный параметр (отношение Джозефсоновской энергии к тепловой) γ=ħIc/2ekT должен быть >>1. Тогда СКВИД будет работать нормально.
EJ=ħIc/2e-Джозефсоновская энергия связи перехода, kT-тепловая энергия.
Надо сохранить отношение Ic/T≈Const при изменении температуры от 4.2 К до 78 К.
2) Но для оптимальной работы надо иметь
βс=2IcLs/Фо≈1.
Т.е. индуктивность СКВИДа Ls надо уменьшить в те же 20 раз. Это проблема.
Слайд 10

Слабые связи и СКВИДы из ВТСП 3) Достигнутые значения Ic. Хорошими

Слабые связи и СКВИДы из ВТСП

3) Достигнутые значения Ic.
Хорошими значениями считаются

криттоки, при которых Vc=IcRN=0.5 мВ (или частота ωс=1.5·1012 Гц). В BaKBiO достигнуто Vc=3.5 мВ. В особых случаях в ВТСП – 10 мВ (ωс=3·1013 Гц). Теория предсказывает 20-30 мВ.
Современный рекорд Vc=10 мВ получен на переходе из Bi-2223 (Bi2Sr2Ca2Cu3Ox) с барьером из Bi-2278 (который является диэлектриком, но имеет ту же решетку).
ВТСП СКВИД-магнитометр фирмы Conductus (США) на чипе 2х2 см2 (бикристалл SrTiO3). Разрешение примерно равно 10 фТл/Гц1/2, Vc=130 мкВ, RN=13 Ом. Размах сигнальной характеристики ΔV=60 мкВ.
Слайд 11

Типы слабых связей из ВТСП Переход на границе зерна (поликристаллическая пленка) Пленочный СКВИД

Типы слабых связей из ВТСП

Переход на границе зерна (поликристаллическая пленка)

Пленочный СКВИД

Слайд 12

Типы слабых связей из ВТСП Переход на границе зерна (поликристаллическая пленка)

Типы слабых связей из ВТСП

Переход на границе зерна (поликристаллическая пленка)

Вариант: подавление

сверхпроводимости с помощью облучения через маску энергичными частицами (ионами, Е≥1 МэВ)

На рисунке ВТСП пленка облучена всюду (серый цвет), кроме кольца СКВИДа и мостиков

Слайд 13

Типы слабых связей из ВТСП Переход на бикристаллической границе (эпитаксиальная пленка

Типы слабых связей из ВТСП

Переход на бикристаллической границе
(эпитаксиальная пленка на

бикристалле)

Бикристалл – это два сваренных кристалла с разным направлением кристаллических осей (угол Θ). Критток в пленке, осажденной на бикристалл, и другие свойства зависят от Θ (критток падает при росте Θ).

Слайд 14

Типы слабых связей из ВТСП Переход на краю ступеньки диэлектрика (ступенчато-торцевой переход)

Типы слабых связей из ВТСП

Переход на краю ступеньки диэлектрика
(ступенчато-торцевой переход)

Слайд 15

Типы слабых связей из ВТСП Переход на краю пленки (торцевой переход)

Типы слабых связей из ВТСП

Переход на краю пленки (торцевой переход)

Слайд 16

Типы слабых связей из ВТСП Переход на краю пленки (торцевой переход)

Типы слабых связей из ВТСП

Переход на краю пленки (торцевой переход)

Когда в

качестве изолятора используется пленка PrBa2Cu3O7 (см. рис.), то получают очень высокие значения Vc=IcRN (8 мВ и более, при Т=4.2 К)
Слайд 17

Типы слабых связей из ВТСП Мостик из нормального металла с берегами из ВТСП

Типы слабых связей из ВТСП

Мостик из нормального металла с берегами из

ВТСП
Слайд 18

Типы слабых связей из ВТСП Туннельный переход (туннельная структура типа «сэндвич»)

Типы слабых связей из ВТСП

Туннельный переход (туннельная структура типа «сэндвич»)

Слайд 19

Типы слабых связей из ВТСП ВТСП СКВИДы на основе керамики

Типы слабых связей из ВТСП

ВТСП СКВИДы на основе керамики

Слайд 20

Предел чувствительности СКВИДа Теоретический шумовой поток для ПТ-СКВИДа (в пределе низких

Предел чувствительности СКВИДа

Теоретический шумовой поток для ПТ-СКВИДа (в пределе низких частот):
Для: L=10-9

Гн – индуктивность кольца,
R=2 Ома – сопротивление в N-состоянии,
Δf=1 Гц – полоса частот,
δФ/Ф=5⋅10-6 (для Т=4.2 К)