Маршрут проектирования библиотек цифровых элементов ядра

Содержание

Слайд 2

Маршруты разработки цифрового устройства и библиотеки стандартных цифровых элементов Техническое задание

Маршруты разработки цифрового устройства
и библиотеки стандартных цифровых элементов

Техническое задание

Создание поведенческой

модели
Verilog/VHDL

Функционально-логическое тестирование

Синтез поведенческого описания в базисе библиотеки

Синтез топологии

Моделирование с учётом параметров паразитных элементов

Разработка тестовой структуры и проверка правильности функционирования

Разработка документации

Экстракция паразитных параметров

Библиотека в формате Liberty
Библиотека в формате Verilog

Техническое задание

Схемотехническое проектирование

Топологическое проектирование

DRC/LVS

Экстракция паразитных параметров

Характеризация

Верификация параметров

Технологическая библиотека логических элементов

Тестирование библиотеки

Разработка документации

Слайд 3

Схемотехническое проектирование (schematic view)

Схемотехническое проектирование (schematic view)

Слайд 4

Топологическое проектирование

Топологическое проектирование

Слайд 5

Топологическое проектирование. Общие требования. При разработке топологии элементов библиотеки необходимо соблюдать

Топологическое проектирование. Общие требования.

При разработке топологии элементов библиотеки необходимо соблюдать следующие требования

общего характера:
При разработке топологии используется стандартная сетка проектирования для данной технологии, составляющая 0.02 мкм.
Высота ячеек библиотеки составляет 6.4 мкм (10 tracks).
Ширина ячеек библиотеки кратна 0.64 мкм. Данный размер эквивалентен шагу трассировки в слоях “Металл x” (x = 1, 2, 3, 4).
Начало координат совпадает с левым нижним углом ячейки.
Граница и габариты ячейки определяются слоем (“prBoundary” “drawing”).
Каждая ячейка должна иметь область N-кармана (“nwell” “drawing”).
Каждая ячейка должна содержать области N+ диффузии (“nplus” “drawing”) и P+ диффузии (“pplus” “drawing”).
Каждая ячейка должна содержать области LDD в N-канальных (“nldd” “drawing”) и P-канальных транзисторах (“pldd” “drawing”).
Все ячейки библиотеки (за исключением ячейки “antenna”) не содержат антенных диодов.
Ширины шин земли/питания позволяют провести 6 трасс в слое “Металл 1” внутри ячейки.
Каждая ячейка должна иметь текстовую метку с названием ячейки, метки шин земли и питания, метки входных/выходных портов элемента, штамп с информацией о ячейке. Все перечисленные метки должны присутствовать в одном экземпляре.
Метки входных/выходных портов элемента должны находиться внутри областей в слое “Металл 1”. Расположение данных меток вне указанных областей не допускается.
Каждая ячейка должна иметь входные/выходные порты со свойством CONNECTIVITY. Для сохранения данного свойства при экспорте топологии в файл формата GDSII необходимо в поле “Keep pin information as attribute number” установить значение “10”.
Конфигурация шин земли и питания
Шина земли в слое “Металл 1” располагается на нижней границе каждой ячейки.
Шина земли ячейки обозначается меткой “gnd!” (шрифт “stick”, высота метки 0.26) в слое (“metal1” “pintext”), координаты метки (0.32, 0.0).
Шина земли ячейки имеет ширину 2.0 мкм и располагается на 1.0 мкм выше и на 1.0 мкм ниже нижней границы ячейки.
Шина питания в слое “Металл 1” располагается на верхней границе каждой ячейки.
Шина питания ячейки обозначается меткой “vdd!” (шрифт “stick”, высота метки 0.26) в слое (“metal1” “pintext”), координаты метки (0.32, 6.4).
Шина питания ячейки имеет ширину 2.0 мкм и располагается на 1.0 мкм выше и на 1.0 мкм ниже верхней границы ячейки.
Текстовые метки в топологии
Все текстовые метки имеют ориентацию “R0” по отношению к ячейке.
Каждая ячейка должна иметь текстовую метку в слое (“text” “drawing”), шрифт “roman”, высота метки 0.3, выравнивание “lowerLeft”, координаты метки (0.32, 4.16), содержащую реальное имя ячейки.
Слайд 6

Топологическое проектирование. Эскиз топологии ячейки.

Топологическое проектирование. Эскиз топологии ячейки.

Слайд 7

Топологическое проектирование. Сетка портов.

Топологическое проектирование. Сетка портов.

Слайд 8

Топологическое проектирование. Ограничения на разводку внутри ячеек

Топологическое проектирование. Ограничения на разводку внутри ячеек

Слайд 9

Топологическое проектирование. (layout view)

Топологическое проектирование. (layout view)

Слайд 10

Топологическое проектирование. (symbol view)

Топологическое проектирование. (symbol view)

Слайд 11

Технологические представления. CDL-файл. ************************************************************************ * auCdl Netlist: * * Library Name:

Технологические представления. CDL-файл.

************************************************************************
* auCdl Netlist:
*
* Library Name: mksoi018std9t1v8
* Top Cell Name:

inv_0
* View Name: schematic
* Netlisted on: Aug 23 19:30:34 2013
************************************************************************
************************************************************************
* Library Name: mksoi018std9t1v8
* Cell Name: inv_0
* View Name: schematic
************************************************************************
.SUBCKT inv_0 a x vdd! gnd!
*.PININFO a:I x:O
MM4 x a vdd! vdd! pmos_a W=720.0n L=180n W_CONT=640.0n M=1
MM1 x a gnd! gnd! nmos_a W=480.0n L=180n W_CONT=640.0n M=1
.ENDS
Слайд 12

Технологические представления. LPE-файл. //------- //calibre2spectre.perl: $Rev: 884 $ //Date of creation:

Технологические представления. LPE-файл.

//------- //calibre2spectre.perl: $Rev: 884 $ //Date of creation: Tue May 26 19:37:26

2015 //------- subckt inv_0 ( a gnd! vdd! x ) MM1 ( x a gnd! gnd! ) nmos_a l=1.8e-07 w=4.8e-07 m=1 w_cont=6.4e-07 MM4 ( x a vdd! vdd! ) pmos_a l=1.8e-07 w=7.2e-07 m=1 w_cont=6.4e-07 c_1 ( a 0 ) capacitor c=1.73458f c_2 ( gnd! 0 ) capacitor c=0.507344f c_3 ( vdd! 0 ) capacitor c=0.628837f c_4 ( x 0 ) capacitor c=1.14915f // include inv_0.pex.netlist.inv_0.pxi ends inv_0
Слайд 13

Технологические представления. LEF-файл. MACRO inv_1 CLASS CORE ; FOREIGN inv_1 0

Технологические представления. LEF-файл.

MACRO inv_1
CLASS CORE ;
FOREIGN inv_1 0 0 ;

ORIGIN 0.00 0.00 ;
SIZE 1.92 BY 6.40 ;
SYMMETRY X Y ;
SITE LibMikron_SOI_018_1V8_corea10t ;
PIN a
DIRECTION INPUT ;
ANTENNAMODEL OXIDE1 ;
ANTENNAGATEAREA 0.57 LAYER metal1 ;
PORT
LAYER metal1 ;
RECT 0.48 2.08 1.12 2.56 ;
END
END a
PIN x
DIRECTION OUTPUT ;
ANTENNADIFFAREA 1.59 LAYER metal1 ;
PORT
LAYER metal1 ;
POLYGON 1.76 3.40 1.52 3.40 1.52 4.44 1.20 4.44 1.20 2.92 1.44 2.92
1.44 1.64 1.20 1.64 1.20 1.32 1.76 1.32 ;
END
END x
END x
PIN gnd!
DIRECTION INOUT ;
USE GROUND ;
SHAPE ABUTMENT ;
PORT
LAYER metal1 ;
POLYGON 1.92 1.00 0.76 1.00 0.76 1.48 0.44 1.48 0.44 1.00 0.00 1.00
0.00 -1.00 1.92 -1.00 ;
END
END gnd!
PIN vdd!
DIRECTION INOUT ;
USE POWER ;
SHAPE ABUTMENT ;
PORT
LAYER metal1 ;
POLYGON 1.92 7.40 0.00 7.40 0.00 5.40 0.44 5.40 0.44 3.00 0.76 3.00
0.76 5.40 1.92 5.40 ;
END
END vdd!
END inv_1
Слайд 14

Технологические представления. Verilog-файл. `timescale 1ns/10ps `celldefine module inv_1 (x, a); output

Технологические представления. Verilog-файл.

`timescale 1ns/10ps `celldefine module inv_1 (x, a); output x; input a; // Function not (x, a); //

Timing specify (a => x) = 0; endspecify endmodule `endcelldefine
Слайд 15

Характеризация. Liberty-файл cell ( inv_1 ) { area : 12.288; cell_footprint

Характеризация. Liberty-файл

cell ( inv_1 ) {
area : 12.288;
cell_footprint :

inv;
pin ( x ) {
direction : output;
function : "!a";
max_capacitance : 0.042;
timing () {
related_pin : "a";
timing_sense : negative_unate;
cell_rise {
index_1("0.01, 0.1, 0.25, 0.5, 1");
index_2("0.003, 0.006, 0.01, 0.021, 0.042");
values( \
"0.0386484, 0.0499882, 0.0643839, 0.102756, 0.175062", \
"0.0806822, 0.0951632, 0.110274, 0.149557, 0.222875", \
"0.130135, 0.153161, 0.178153, 0.230174, 0.304942", \
"0.196376, 0.227614, 0.262277, 0.33657, 0.43871", \
"0.311289, 0.35326, 0.400172, 0.502054, 0.647193" );
}
rise_transition {
index_1("0.01, 0.1, 0.25, 0.5, 1");
index_2("0.003, 0.006, 0.01, 0.021, 0.042");
values( \
"0.0368458, 0.0554257, 0.0802179, 0.148406, 0.278967", \
"0.0476396, 0.0613543, 0.0824827, 0.148462, 0.278736", \
…………………………………………………………………………………………
Слайд 16

Технологические представления. Документация.

Технологические представления. Документация.