Содержание
- 2. Компетенции/подкомпетенции, формируемые в дисциплине (ПК-3): способность обосновывать принимаемые проектные решения, осуществлять постановку и выполнять эксперименты по
- 3. ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ
- 4. Учебная нагрузка по ТИМС Лекции – в ауд.4204; Лаб. работы – допуск в ауд.4201 (выполнение в
- 5. Разделы дисциплины 1. Введение в предмет курса. Организационно-технологические основы производства изделий микро- и наноэлектроники; 2. Основы
- 6. ПЕРЕЧЕНЬ УЧЕБНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ Основная литература 1. Лабораторный практикум «Основы технологии электронной компонентной базы, под ред. Ю.А.Чаплыгина,
- 7. Структура и график контрольных мероприятий Мониторинг успеваемости студентов проводится в течение семестра трижды: - по итогам
- 8. Лекция 1 Введение в предмет курса. Организационно-технологические основы производства изделий микро- и наноэлектроники
- 9. Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения Мобильный телефон Домашний компьютер Телевизор КПК Коммуникатор
- 10. Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует: 1) знание физики полупроводников и полупроводниковых приборов; 2) знание
- 11. Закон Мура Чаще всего для описания эволюции технологии КМОП применяется так называемый «закон Мура». Важно понимать
- 12. Ключ к успешному прогнозированию будущего технологий КМОП лежит в понимании факторов, влияющих на величину стоимости, на
- 13. 1-Poly and 10-Metal(9Cu + 1Al) Shallow Trench Isolation (STI) Salicide Gate Salicide Source and Drain CMP
- 14. Базовые этапы создания ИМС Окисление кремния
- 15. Фотолитография
- 16. Травление слоя
- 17. Создание легированных областей
- 18. Металлизация
- 19. Тенденции в изменении разрешающей способности литографического процесса полушаг – это минимальный размер литографических параметров на кристалле.
- 20. Technology 0.18 um 0.25 um 0.35 um 0.50 um Supply Voltage (V) 1.8 2.5 3.3 3.3*2
- 21. Физические и механические свойства германия, кремния и арсенида галлия
- 22. Схематическое представление кристаллической решетки кремня
- 23. Схематическое представление плоскостей с различными индексами Миллера в кубической решетке
- 26. Процесс Чохральского для выращивания кристаллов кремния
- 27. Процесс формирования слитка по методу Чохральского
- 28. Распределение температуры в процессе роста слитка по методу Чохральского
- 29. Установки для выращивания слитков и готовый слиток монокремния
- 30. 1 - Держатель 2 - Обмотка нагревателя 3 - Монокристаллический кремний 4 - Затравочный монокристалл 5
- 31. Ориентация пластин подложек
- 33. Список источников литературы по теме: 1. Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем:
- 34. Контрольные вопросы по первой теме: В чём заключается суть закона Гордана Мура? В чём заключается суть
- 36. Скачать презентацию