Развитие технологии полупроводников. Методы исследования и контроля наноструктур

Содержание

Слайд 2

Цель курса - ознакомление с актуальными вопросами физики конденсированых сред и

Цель курса - ознакомление с актуальными вопросами физики конденсированых сред и

технической физики; - использование кристаллов, полимеров и упорядоченных тонких пленок в современной технике; - принципы молекулярной самоорганизации и молекулярного конструирования; - современное состояние и тенденции развития нанотехнологии; - основы современных методов исследования и контроля наноструктур.
Слайд 3

Развитие технологии полупроводников

Развитие технологии полупроводников

Слайд 4

Первые транзисторы и интегральные схемы

Первые транзисторы и интегральные схемы

Слайд 5

Современный транзистор

Современный транзистор

Слайд 6

Закон Мура

Закон Мура

Слайд 7

«Дорожная карта» для полупроводников

«Дорожная карта» для полупроводников

Слайд 8

Melting Point of Gold Melting point - 1064° C

Melting Point of Gold

Melting point - 1064° C

Слайд 9

Квантовые эффекты

Квантовые эффекты

Слайд 10

Мы, возможно не замечая этого, находимся на ранней стадии революции в

Мы, возможно не замечая этого, находимся на ранней стадии революции в

науке. Суть в том, что утверждение - все состоит из атомов, теперь становится операционным
Слайд 11

Дифракция рентгеновских лучей (электронов, нейтронов) на периодических структурах 2dsinθ = nλ Закон Вульфа-Брэгга

Дифракция рентгеновских лучей (электронов, нейтронов) на периодических структурах

2dsinθ = nλ

Закон

Вульфа-Брэгга
Слайд 12

Дифракция по Лауэ

Дифракция по Лауэ

Слайд 13

Нанотехнология: принципы «сверху-вниз» и «снизу-вверх» Молекулярно лучевая эпитаксия Самосборка («пирамидки» со

Нанотехнология: принципы «сверху-вниз» и «снизу-вверх»

Молекулярно
лучевая эпитаксия

Самосборка
(«пирамидки» со
свойствами квантовых точек)

Перемещение
атомов с помощью

СТМ

3D принтер?

Слайд 14

What is nanotechnology? Nanotechnology involves the manipulation of objects on the

What is nanotechnology?

Nanotechnology involves the manipulation of objects on the atomic

level. Products will be built with every atom in the right place, allowing materials to be lighter, stronger, smarter, cheaper, cleaner, and more precise. In order for this science to be realized, positional control must be achieved, and self-replication is necessary to reduce costs.
Слайд 15

Нейроинпланты - биологическая совместимость с подложкой из вертикально ориентированных нановолокон (!!)

Нейроинпланты
- биологическая
совместимость с
подложкой из
вертикально
ориентированных
нановолокон

(!!)

Слайд 16

Предсказания Richard Feynman (1918-1988) “But I am not afraid to consider

Предсказания Richard Feynman (1918-1988)

“But I am not afraid to consider the

final question as to whether, ultimately – in the great future – we can arrange the atoms the way we want; the very atoms, all the way down!” – Feynman, 1959

D.M. Eigler, E.K. Schweizer. Positioning single atoms with a scanning tunneling microscope. Nature 344, 524-526 (1990).

Слайд 17

Moving atoms one at a time… Нанотехнология: сборка на атомном уровне

Moving atoms one at a time…

Нанотехнология: сборка на атомном уровне

Слайд 18

Основные принципы нанотехнологии Предельная миниатюризация, Распределенная структура, Принцип построения системы «снизу-вверх», Самоорганизация

Основные принципы нанотехнологии

Предельная миниатюризация,
Распределенная структура,
Принцип построения системы
«снизу-вверх»,
Самоорганизация

Слайд 19

Планарная полупроводниковая технология Предельная миниатюризация

Планарная полупроводниковая технология

Предельная миниатюризация

Слайд 20

Почему полупроводники? Проводники: ~1 свободный электрон на 1 атом; плотность 1022

Почему полупроводники?

Проводники: ~1 свободный электрон на 1 атом; плотность 1022 /см3
Полупроводники:

~1 свободный электрон на 103–1010 атомов; плотность 1012-1019 / см3
Слайд 21

Слайд 22

Electrical conductivity in a conductor, semiconductor, and insulator conductor insulator Overlapping filled & empty bands semiconductor

Electrical conductivity in a conductor, semiconductor, and insulator

conductor

insulator

Overlapping filled & empty

bands

semiconductor

Слайд 23

(a) A photon with an energy greater than Eg can excite

(a) A photon with an energy greater than Eg can excite

an electron from the VB to the CB. (b) When a photon breaks a Si-Si bond, a free electron and a hole in the Si-Si bond is created.
Слайд 24

Легирование полупроводников

Легирование полупроводников

Слайд 25

E ≈ Eb/ε2 ε ≈ 10

E ≈ Eb/ε2
ε ≈ 10

Слайд 26

Примесные состояния

Примесные состояния

Слайд 27

Фотолитография

Фотолитография

Слайд 28

Оптическая литография

Оптическая литография

Слайд 29

I(u) ~ J1(u)/u ; u = (π/ λ)dsin ϕ sin ϕ1 =1.22 λ/d Дифракционный предел

I(u) ~ J1(u)/u ; u = (π/ λ)dsin ϕ
sin ϕ1

=1.22 λ/d

Дифракционный предел

Слайд 30

Слайд 31

Электронная литография nm

Электронная литография

nm

Слайд 32

Дисперсионные соотношения для частиц Фотоны: Е = ћω = hν =

Дисперсионные соотношения для частиц

Фотоны: Е = ћω = hν = hc/λ;

p = ћk
Де Бройль (1925): p = ћk ; p = mv ; k = 2π /λ
λ = h/mv; ω = Е /ћ
Электроны: Е = Ек =p2/2m = h2/2me λ 2
λ =1A, E ≈ 100 ev

ω ;λ → E ;p

E ;p → ω ;k

Слайд 33

Электронная литография

Электронная литография

Слайд 34

Рентгеновская литография

Рентгеновская литография

Слайд 35

Слайд 36

Intel показала первые 45-нм процессоры 29.11.2006 12:58

Intel показала первые 45-нм процессоры 29.11.2006 12:58

Слайд 37

Модификация свойств поверхности по принципу «снизу-вверх»

Модификация свойств поверхности по принципу «снизу-вверх»

Слайд 38

Сканирующие зондовые методы

Сканирующие зондовые методы

Слайд 39

What is Scanning Tunneling Microscopy? Allows for the imaging of the

What is Scanning Tunneling Microscopy?

Allows for the imaging of the surfaces

of metals and semiconductors at the atomic level.

Developed by Gerd Binnig and Heinrich Rohrer at the IBM Zurich Research Laboratory in 1982.

The two shared half of the 1986 Nobel Prize in physics for developing STM.

Binnig

Rohrer

STM has fathered a host of new atomic probe techniques: Atomic Force Microscopy, Scanning Tunneling Spectroscopy, Magnetic Force Microscopy, Scanning Acoustic Microscopy, etc.

Слайд 40

Слайд 41

Слайд 42

Сканирующий тунельный микроскоп STM

Сканирующий тунельный микроскоп

STM

Слайд 43

Принцип туннельного микроскопа

Принцип туннельного микроскопа

Слайд 44

Вероятность туннелирования электрона - коэффициент прохождения:

Вероятность туннелирования электрона -
коэффициент прохождения:

Слайд 45

Слайд 46

Examples of STM images… Pt (100) with vacancies Si (111) 7x7

Examples of STM images…

Pt (100) with vacancies
Si (111) 7x7 reconstruction
Annealed decanethiol

film on Au(111)
Si (111) with terraces and vaccancies
Слайд 47

Атомно-силовая микроскопия AFM

Атомно-силовая микроскопия

AFM

Слайд 48

Слайд 49

Слайд 50

Основные принципы нанотехнологии Предельная миниатюризация, Распределенная структура, Принцип построения системы «снизу-вверх», Самоорганизация

Основные принципы нанотехнологии

Предельная миниатюризация,
Распределенная структура,
Принцип построения системы
«снизу-вверх»,
Самоорганизация

Слайд 51

Слайд 52

Дисплеи - неотъемлемая часть современной информационной эры

Дисплеи - неотъемлемая часть современной информационной эры

Слайд 53

Катодные трубки появились более 100 лет назад. Есть ли альтернатива этому

Катодные трубки появились более 100 лет назад. Есть ли альтернатива этому

древнему изобретению? Большой объем Высокий вакуум Напряжения порядка десятков киловольт
Слайд 54

Мечта о плоской телевизионной панели

Мечта о плоской телевизионной панели

Слайд 55

Мечта о лэптопе

Мечта о лэптопе

Слайд 56

Гибкие дисплеи - электронная бумага

Гибкие дисплеи - электронная бумага

Слайд 57

Жидкокристаллические дисплеи Плазменные дисплеи (электролюминисцентные дисплеи) Field - emission display

Жидкокристаллические дисплеи Плазменные дисплеи (электролюминисцентные дисплеи) Field - emission display

Слайд 58

Анизотропные жидкости

Анизотропные жидкости

Слайд 59

Слайд 60

Слайд 61

Слайд 62

TFT - thin film transistor Комбинация ЖК и активной матрицы ЖК дисплей, использующий твист-эффект в нематиках

TFT -
thin film
transistor
Комбинация ЖК и активной
матрицы

ЖК дисплей, использующий твист-эффект в

нематиках
Слайд 63

Активная матрица

Активная матрица

Слайд 64

Углеродные нанотрубки

Углеродные нанотрубки

Слайд 65

Слайд 66

Слайд 67

Слайд 68

Слайд 69

Слайд 70

Слайд 71

Слайд 72

Слайд 73

Слайд 74

Слайд 75

Слайд 76

Слайд 77

Слайд 78

Области применения

Области применения

Слайд 79

Слайд 80

Транзистор на базе углеродной нанотрубки

Транзистор на базе углеродной нанотрубки

Слайд 81

Самые последние достижения

Самые последние достижения

Слайд 82

Слайд 83

Слайд 84

Графен обладает уникальными физическими свойствами. Из-за того, что графен представляет собой

Графен обладает уникальными физическими свойствами. Из-за
того, что графен представляет собой

двумерную структуру,
электроны в нём ведут себя как релятивистские частицы с
нулевой массой покоя и движутся со скоростью 10^6 м/с.
Несмотря на то, что это значение в 300 раз меньше скорости
света в вакууме, оно значительно превышает скорость
электронов в обычном проводнике.
Слайд 85

Квантовые ямы, проволоки и точки

Квантовые ямы, проволоки и точки

Слайд 86

Примеры: Углеродные нанотрубки -квантовые нити Парамагнитные примеси (центры окраски) - -

Примеры:
Углеродные нанотрубки -квантовые нити
Парамагнитные примеси (центры окраски) -
- квантовые точки

1. Роль

поверхности: Esurf ~ R2 ; Ebulk ~ R3 ; Esurf / Ebulk ~ 1/R
2. Квантовые эффекты (electrons confinement)
Слайд 87

Квантовые нити

Квантовые нити

Слайд 88

Квантовые ямы (1) Квантовые ямы – миниатюрные устройства, которые содержат немного

Квантовые ямы (1)

Квантовые ямы – миниатюрные устройства, которые содержат немного свободных

электронов
Типичные размеры лежат в области от нанометров до нескольких микрометров

В квантовой яме могут быть от одного до нескольких тысяч электронов
Размеры и форма ямы и число электронов можно точно контролировать

Слайд 89

Квантовые ямы (2) Так же, как и в атоме, энергетические уровни

Квантовые ямы (2)

Так же, как и в атоме, энергетические уровни в

квантовых ямах дискретны
Структура уровней сходна с уровнями 3D потенциальной ямы
В квантовой яме свойства могут существенно измениться если удалить даже один электрон

В отличие от атомов квантовые ямы легко присоединять к электродам и создавать на их основе различные устройства

Слайд 90

The Energy Levels of Quantum Dots The Quantum Dot band gap

The Energy Levels of Quantum Dots

The Quantum Dot band gap is

smaller than the surrounding material, so electrons will tend to “fall” into the dot to reach a lower-energy configuration
Because the Quantum Dots are so small (20-30 nm), quantum mechanics govern how an electron will behave in the dot

EC

EV

EG

e-

E

electron

hole

Слайд 91

Фотонные кристаллы

Фотонные кристаллы

Слайд 92

Definition: A photonic crystals is a periodic arrangement of a dielectric

Definition:
A photonic crystals is a periodic arrangement
of a dielectric material
that exhibits

strong interaction with light
Слайд 93

Examples: 1D: Bragg Reflector 2D: Si pillar crystal 3D: colloidal crystal

Examples:

1D: Bragg Reflector 2D: Si pillar crystal 3D: colloidal crystal

Слайд 94

Morpho butterfly

Morpho butterfly

Слайд 95

n1 n2 n1 n1 n1 n2 n2 Dispersion relation n1: high

n1

n2

n1

n1

n1

n2

n2

Dispersion relation

n1: high index material
n2: low index material

bandgap

frequency ω

wave vector k

0

π/a

standing

wave in n1

standing wave in n2

Слайд 96

Слайд 97

Optical fiber: long distance communication

Optical fiber:
long distance communication

Слайд 98

Полимеры и их применение

Полимеры и их применение

Слайд 99

Синтетическое волокно

Синтетическое волокно

Слайд 100

Синтетические каучуки

Синтетические каучуки

Слайд 101

Кевлар

Кевлар

Слайд 102

Кевлар

Кевлар

Слайд 103

Кевлар

Кевлар

Слайд 104

Одежда для жизни

Одежда для жизни