Полевые транзисторы

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Полевые транзисторы

Содержание

2. Определение, принцип действия Униполярный (полевой) транзистор – полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока производится изменением проводимости
5. Маркировка полевых транзисторов
6. Классификация полевых транзисторов
7. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом – полупроводниковый прибор, в котором проводимостью
8. Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом приведена на рисунке. UСИ>0, UЗИ
9. Схемы включения полевых транзисторов
10. Определение: Напряжением отсечки называется значение напряжения затвор-исток, при котором ток стока практически равен 0. Когда суммарное
11. МДП (МОП) транзистор Определение: Полевой транзистор с изолированным затвором – транзистор, электрод затвора которого изолирован от
12. Стоковые (выходные) характеристики
13. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
14. Стоковые характеристики
18. Скачать презентацию

Слайд 2

Определение, принцип действия
Униполярный (полевой) транзистор – полупроводниковый прибор, в котором регулирование

тока производится изменением проводимости проводящего канала помощью электрического поля.
Оба названия транзистора отражают его особенности: прохождение тока в канале обусловлено одним типом зарядов – униполярный; управление током канала осуществляется электрическим полем – полевой.
Электроды полевого транзистора называются:
исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Слайд 3

Слайд 4

Слайд 5

Маркировка полевых транзисторов

Слайд 6

Классификация полевых транзисторов

Слайд 7

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом –

полупроводниковый прибор, в котором проводимостью канала можно управлять, подавая напряжение на закрытый р-n-переход

Слайд 8

Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом приведена на рисунке.
UСИ>0, UЗИ<0,

Слайд 9

Схемы включения полевых транзисторов

Слайд 10

Определение: Напряжением отсечки называется значение напряжения затвор-исток, при котором ток стока

практически равен 0.

Когда суммарное напряжение достигнет напряжения запирания:
ширина канала уменьшится, а его сопротивление возрастет. При определенном значении UЗИ, которое называется напряжением отсечки, ток стока практически не протекает.

Uc=const

Слайд 11

МДП (МОП) транзистор
Определение: Полевой транзистор с изолированным затвором – транзистор, электрод

затвора которого изолирован от полупроводникового канала слоем диэлектрика из двуокиси кремния SiO2.

Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом

Слайд 12

Стоковые (выходные) характеристики

Слайд 13

Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом

Слайд 14

Стоковые характеристики

Слайд 15

Слайд 16