Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов

Сентябрь 2, 2022

Главная
Алгебра
Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов

Содержание

2. КМДП структура
3. Структура МДП транзистора Подложка – легированный кремний одного типа (для n-МОП легирование бором (p-тип примеси), для
4. Технология производства КМДП интегральных схем Выращивание кристалла Si Нарезка пластин Si Механическая полировка Химическая полировка Ионная
5. Формирование n-кармана Нанесение фоторезиста (Фоторезист – вещество, меняющее свои свойства при воздействии определенного рода излучений) Фотолитография
6. Фотолитография (Процесс повторяющийся перед каждым травлением или легированием)
7. Плазмохимическое травление Плазмохимическое травление Удаление фоторезиста
8. Технология производства КМДП интегральных схем (продолжение) Формирование тонкого подзатворного окисла Выращивание поликристаллического кремния Создание активных областей
9. Создание активных областей транзистора Легирование бором/фосфором высокой концентрации (p+/n+), прямо через поликристаллический кремний и тонкий окисел
10. Формирование контактов и металлизации Выращивание толстого окисла Вскрытие контактных окон (травление) Осаждение металла (магнетронное распыление)
11. Топология КМДП инвертора
12. Топологические нормы (правила проектирования топологии) λ – норма проектирования равная половине технологического размера Минимальный размер области
13. Топологические нормы (важные нормы для выполнения лабораторных работ) Минимальная длина затвора транзистора – 2λ Вылет (хвост)
15. Скачать презентацию

Слайд 2

КМДП структура

Слайд 3

Структура МДП транзистора
Подложка – легированный кремний одного типа (для n-МОП легирование

бором (p-тип примеси), для p-МОП легирование фосфором (n-тип примеси))
Сток-исток – сильнолегированный кремний другого типа
Подзатворный диэлектрик – оксид или нитрид кремния (SiO2 или Si3N4)
Затвор – поликристаллический кремний (Si*)
Изолирующие слои – толстый оксид кремния
Соединительный слой – металл

Слайд 4

Технология производства КМДП интегральных схем
Выращивание кристалла Si
Нарезка пластин Si
Механическая полировка
Химическая полировка
Ионная

имплантация глубоких областей
Выращивание эпитаксиального слоя
Формирование кармана
Выращивание окисла
Фотолитография

Слайд 5

Формирование n-кармана
Нанесение фоторезиста (Фоторезист – вещество, меняющее свои свойства при воздействии определенного

рода излучений)
Фотолитография
Ионная имплантация фосфором
Удаление фоторезиста

Слайд 6

Фотолитография (Процесс повторяющийся перед каждым травлением или легированием)

Слайд 7

Плазмохимическое травление
Плазмохимическое травление
Удаление фоторезиста

Слайд 8

Технология производства КМДП интегральных схем (продолжение)
Формирование тонкого подзатворного окисла
Выращивание поликристаллического кремния
Создание

активных областей транзистора (самосовмещенная технология)

Слайд 9

Создание активных областей транзистора
Легирование бором/фосфором высокой концентрации (p+/n+), прямо через поликристаллический

кремний и тонкий окисел
Диффузия n- и p- областей (разгон примесей)

Слайд 10

Формирование контактов и металлизации
Выращивание толстого окисла
Вскрытие контактных окон (травление)
Осаждение металла (магнетронное

распыление)

Слайд 11

Топология КМДП инвертора

Слайд 12

Топологические нормы (правила проектирования топологии)
λ – норма проектирования равная половине технологического

размера
Минимальный размер области n-кармана неограничен
Минимальное расстояние между карманами неограниченно
Минимальная ширина тонкого окисла – 2λ
Минимальная ширина p+ и n+ областей – 4λ
Минимальный зазор между диффузионными областями – 4λ
Перекрытие n-канальным карманом области p-канального транзистора – 6λ
Минимальная ширина канала транзистора – 4λ

Слайд 13

Топологические нормы (важные нормы для выполнения лабораторных работ)
Минимальная длина затвора транзистора

– 2λ
Вылет (хвост) затвора на фоновый окисел – 2λ
Минимальная ширина поликремниевой шины вне активной области – 2λ
Размер поликремния в месте контакта – 6λ
Размер контактного окна – 2λ
Зазор между окнами – 5λ
Зазор между металлом в одном слое – 4λ
Минимальная ширина металлической шины – 4λ

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов

Содержание

КМДП структура

Структура МДП транзистораПодложка – легированный кремний одного типа (для n-МОП легирование

Технология производства КМДП интегральных схем Выращивание кристалла SiНарезка пластин SiМеханическая полировкаХимическая полировкаИонная

Формирование n-карманаНанесение фоторезиста (Фоторезист – вещество, меняющее свои свойства при воздействии определенного

Фотолитография (Процесс повторяющийся перед каждым травлением или легированием)

Плазмохимическое травлениеПлазмохимическое травлениеУдаление фоторезиста

Технология производства КМДП интегральных схем (продолжение)Формирование тонкого подзатворного окислаВыращивание поликристаллического кремнияСоздание

Создание активных областей транзистораЛегирование бором/фосфором высокой концентрации (p+/n+), прямо через поликристаллический

Формирование контактов и металлизацииВыращивание толстого окислаВскрытие контактных окон (травление)Осаждение металла (магнетронное