Применение карбида кремния в современных устройствах

Якобом Берцелиусом и нашло продолжение в работах Деспретза (1849), Марсдена (1880) и Колсона (1882 год). В земных условиях карбид кремния встречается редко, встречаясь в ничтожных количествах в кимберлитовых трубках, однако SiC широко распостранен во вселенной, его вкрапления часто находят в метеоритах. Первые кристаллы SiC были обнаружены при исследовании метеоритов в каньоне Дьявола в Аризонской пустыне Генри Муассаном (Moissan), в честь него минерал получил название муассанит. В настоящее время, поликристаллический карбид кремния получают в электрических печах при температуре 1800-2300оС путем восстановления двуокиси кремния углеродом:
SiO2 + 3C = SiC + 2CO

первых материалов твердотельной электроники, так еще в 1907 году Х. Раунд наблюдал свечение при прохождении электрического тока через кристалл SiC. Более подробно электролюминесценцию карбида кремния в
1923–1940 годах исследовал Олег Владимирович Лосев, установивший, что один из типов свечения связан с наличием на поверхности кристалла особого "активного слоя". Позже он показал, что проводимость этого слоя – электронная, а проводимость объема образца – дырочная. Лосев также установил существование связи между выпрямлением и электролюминесценцией. Кроме того, он наблюдал изменение цвета свечения при увеличении плотности тока через кристалл.
Таким образом, два важнейших для полупроводниковой электроники явления – электролюминесценция и выпрямительные свойства p-n структур впервые были обнаружены на кристаллах SiC.