Содержание
- 3. Список использованных и рекомендуемых источников Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч.
- 4. Уровень технологии определяется минимально возможной топологической нормой, т. е. минимальным размером элемента или зазора в периодических
- 5. Степень интеграции Ki=lgN, N – количество основных элементов, входящих в состав микросхемы Ki= ≤ 1 –
- 6. Закон Мура: Функциональные возможности высокосовершенных дозу (объем памяти или количество ячеек памяти) и МП (количество транзисторов
- 7. Современные тенденции масштабирования ИС могут быть сформулированы следующим образом: - новое поколение технологии появляется через каждые
- 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2) Структуры, основанные на квантовомеханических эффектах 1) Нано-КМОП структуры (нанометровая кремниевая электроника)
- 9. Электроника Вакуумная электроника Твердотельная электроника Квантовая электроника НАНО * 10-9
- 10. Электроника Квантовая электроника Создание электровакуумных приборов (ЭВП): Акустоэлектроника и пьезоэлектроника Разработка и изготовление резисторов Криоэлектроника Магнитоэлектроника
- 11. Электроника Нанотехнологии Наноэлектроника
- 12. Лауреат Нобелевской премии Р. Фейман «При переходе к изучению самых маленьких объектов мы сталкиваемся со многими
- 13. Хотя, в силу широкой междисциплинарности нанотехнологий, единого определения на сегодняшний день пока не существует., любое из
- 14. Table 1.2. Major milestones in semiconductor processing history. Year Event 1798 Lithography process invented 1855 Fick
- 15. Достижения микроэлектроники: a - кристалл одной из первых в мире микросхем, изготовленной на фирме Fairchild (США)
- 16. 1-Poly and 10-Metal(9Cu + 1Al) Shallow Trench Isolation (STI) Salicide Gate Salicide Source and Drain CMP
- 18. Наномасштаб Азоев Г.Л., Афанасьев В.Я., Ларина Н.П. Азоев Г.Л., Афанасьев В.Я., Ларина Н.П. — Рынок нано:
- 19. Что производит наноэлектроника
- 20. Вся продукция микро-, нано- электронной отрасли традиционно сегментируется на следующие основные четыре группы компонентов: оптоэлектроника; датчики;
- 21. Оптоэлектронные компоненты: • ПЗС и КМОП датчики изображения; • лазерные передатчики и звукосниматели; • светоизлучающие диоды
- 22. Датчики: температурные датчики; датчики давления; датчики поворота и ускорения; датчики магнитного поля; управляющие датчики. микрогироскопы
- 23. Дискретные компоненты: • cиловые транзисторы и модули; • малосигнальные транзисторы; • переключающие транзисторы; • диоды, выпрямители
- 24. Интегральные схемы: микропроцессоры (Microprocessing Units - MPU); микроконтроллеры (Microcontrolling Units - MCU); цифровые сигнальные процессоры (Digital
- 25. Азоев Г.Л., Афанасьев В.Я., Ларина Н.П. Азоев Г.Л., Афанасьев В.Я., Ларина Н.П. — Рынок нано: от
- 26. Развитие рынка наноэлектронной продукции Азоев Г.Л., Афанасьев В.Я., Ларина Н.П. Азоев Г.Л., Афанасьев В.Я., Ларина Н.П.
- 27. Классификация методов нанотехнологий для получения нанообъектов и наносистем.
- 28. Некоторые особенности работы наноэлектронных устройств
- 29. . Принципиальная схема транзисторной структуры с управляющим затвором Г.И. Зебрев «Физические основы кремниевой наноэлектроники». Учебное пособие.
- 30. Схематичное изображение n-канального транзистора в закрытом (а) и открытом состоянии (б) Robert Doering, Yoshio Nishi. Handbook
- 31. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. — Наноэлектроника: теория и
- 32. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. — Наноэлектроника: теория и
- 33. http://en.wikipedia.org/wiki/Single_electron_transistor#Single_electron_transistor
- 34. Схема одноэлектронного транзистора. Г. Г. Шишкин, И. М. Агеев Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства. М. : БИНОМ.
- 35. Изображение одноэлектронного транзистора и зависимость тока стока от напряжения на затворе при напряжении на стоке 3
- 36. Конструкция транзистора на основе нанотрубки (разработчик — компания ≪Infineon Technologies AG≫) Щука А.А. Щука А.А. —
- 37. Carbon nanotube computer Max M. Shulaker1, Gage Hills2, Nishant Patil3, Hai Wei4, Hong-Yu Chen5, H.-S. PhilipWong6
- 38. Классификация методов получения топологии интегральных микро- и наносхем, а также микро- и наноприборов
- 39. В нанотехнологиях различают два основных подхода, позволяющих формировать наноструктуры. Это — технологии, реализующие принцип ≪сверху-вниз≫, и
- 40. АСМ изображение твердой маски пористого оксида алюминия после ионного травления структуры (а) и РЭМ фотография поперечного
- 41. Формирование наноразмерного рисунка путем самосборки мономолекулярной пленки: а — осаждение мономолекулярного слоя; б— создание рисунка зондом
- 42. Использование АСМ для локального окисления металлов и полупроводников
- 43. Вертикально ориентированные углеродные нанотрубки, полученные химическим осаждением из газовой фазы. Nanolithography and pattering techniques in microelectronics
- 44. Квантовые точки арсенида индия, полученные на подложке из GaAs с помощью молекулярно лучевой эпитаксии (Dqd=21±6,5) нм.
- 45. Фотография на просвечивающем электронном микроскопе массива нанокристаллов серебра, образованного в процессе самосборки ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ «ТЕХНОЛОГИЯ НАНОЛИТОГРАФИИ»
- 46. Локальное зондовое окисление кремния (а) и пленки металла (б) Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. Борисенко
- 47. Принцип проекционной литографии
- 48. TEM Изображение слоев нижних металлов и n-моп p-моп транзисторов Intel’s 22-nm Trigate Transistors. Solid State Technology.
- 49. Вопросы промежуточного контроля: Дайте определение наноэлектроники. Сформулируйте Мура. Назовите основные сегменты электронной отрасли. Какой из сегментов
- 50. Планарная технология Основным технологическим методом создания современных интегральных микросхем остается разработанная в конце 50-х годов двадцатого
- 51. Планарная технология (от англ. planar, от лат. planus – плоский, ровный), – форма организации технологического процесса
- 52. Планарная технология позволяет реализовать групповой процесс изготовления элементов интегральных схем на полупроводниковой подложке одновременно и на
- 53. Основные операции планарной технологии легирование полупроводника (диффузия примесей в полупроводник и ионная имплантация) окисление кремния травление
- 54. Легирование атомами примеси Сущность процессов легирования полупроводника заключается в создании на поверхности полупроводника источника примеси и
- 55. Окисление кремния В результате процесса окисления происходит взаимодействие поверхностного слоя кремния с кислородом и создание на
- 56. Травление Травление – это технологическая операция удаления обрабатываемого материала в процессе химического взаимодействия и растворения в
- 57. Локальное травление и фотолитография Метод фотолитографии, использует в качестве защитного слоя стойкое к действию травителей вещество,
- 58. Технологический маршрут Изготовление каждого полупроводникового прибора (соответственно, интегральной микросхемы) идет по строго определенной последовательности. Такая последовательность
- 59. Сопроводительный лист На предприятиях микроэлектроники данная последовательность отражена в маршрутной карте (сопроводительном листе) соответствующей партии пластин,
- 60. Принципы планарной технологии взаимосвязь конструкции интегральных микросхем и технологии их изготовления совместимость элементов (на одном кристалле)
- 61. Взаимосвязь конструкции интегральных микросхем и технологии их изготовления Проектирование конструкции интегральной микросхемы связано с технологией ее
- 62. Конструктивно-технологические ограничения при разработке и изготовлении интегральных микросхем Наряду с конструктивными, эксплутационными и электрическими параметрами для
- 63. Совместимость элементов интегральных микросхем Единый групповой метод изготовления. Основной элемент – самый сложный элемент ИС -
- 64. Локальность технологических обработок Во время технологических операций обрабатывается не вся поверхность пластины. Методы локальных технологий: масочная
- 65. Послойное формирование элементов микросхем Локальные обработки различных участков пластины выполняют многократно. Фотолитографический цикл: 2 типа
- 66. Послойное формирование элементов микросхем Фотолитографический цикл: 1 тип ЛЕГИРОВАНИЕ Окисление Фотолитография Травление через ФРМ Удаление ФР
- 67. Послойное формирование элементов микросхем Фотолитографический цикл: 2 тип ПОЛИКРЕМНИЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ Осаждение слоя Фотолитография Травление через ФРМ
- 71. Методы контроля наноструктур
- 72. Для исследования наноструктур применяется ряд методов: сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) атомно-силовая микроскопия (АСМ) просвечивающая электронная микроскопия
- 73. Сканирование обычно проводят в двух режимах: постоянного тока или постоянного уровня кантилевера (сенсорное устройство, закрепленно на
- 74. Общая энергия взаимодействия атомов приближённо описывается формулой Леннарда-Джонса: где r— расстояние между частицами, D— энергия связи,
- 75. Топография поверхности ZnO, полученная на АСМ. Robert Doering, Yoshio Nishi. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology. Second
- 76. Просвечивающий электронный микроскоп Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет изучать внутреннюю структуру исследуемых материалов: определять тип и
- 77. При проведении исследований на СЭМ (часто также встречается название «растровый электроный микроскоп» или сокращенно РЭМ) Тонкий
- 78. a) электрон (или фотон) создает вакансию на уровне 1s и электрон из уровня 2s заполняет вакансию,
- 80. Скачать презентацию