ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВАХ и жидкостях

Среднее расстояние между частицами

Vν = 22.4 л

1 моль ⇒ NA

Полярность связи

Дипольный момент
(мера полярности связи)
μ = δ ⋅ l
[Кл⋅м], Дебай (D)
1

Дипольный момент молекул

Силы Ван-дер-Ваальса (межмолекулярного взаимодействия)

1. Ориентационный эффект (Кьезома) (взаимодействие(притяжение) пост.диполь – пост.диполь)

2.

Относительный вклад каждой составляющей в энергию межмолекулярного взаимодействия для различных молекул

Водородная связь

- Особый тип межмолекулярного взаимодействия

1. r<<

2.δ>>

χO,F,N – max

Молекула воды H2O-(4 водородн.связи)

3.2 Твердые тела Екин < Есвязи

по характеру распределения частиц в пространстве

3.3 Кристаллы (тела, которые вследствие строго определенного внутр.строения имеют самопроизвольно образующуюся

Элементарные ячейки -структурные единицы кристалла

7 классов (сингоний) ячеек, которым соответствуют кристалл.решетки

1. триклинная(самая

Анизотропия свойств монокристалла; полиморфизм(аллотропические модификации)

-зависимость физико-химических свойств кристалла от выбранного направления

Плотнейшая упаковка

1-2-1-2…. ГПУ(гексагональная)

1-2-3-1-2-3… КПУ(кубическая)

3.4 Типы кристаллов

молекулярные

ионные

металлические

Ковалентные(атом-ные)

Типы химической связи в кристаллах

Расположение

Ковалентные(атомные) кристаллы (образуют атомы с одинаковой или близкой электроотрицательностью за счет ковалентной

ковалентные кристаллы

2) графит - sp2 - гибридизация

С 2s2 2p2
3 -

молекулярные кристаллы (молекулы в узлах кристаллической решетки)

силы Ван-дер-Ваальса
rI2-I2 = 3.60 А
rI2-I2 =

Ионные кристаллы

χB - χA > 2.1
A + B → A+

Энергия кристаллической решетки

Хим.связь в металлических кристаллах

χA ≡ χB –ков.кристалл; КЧ 8-12-ионн.кристалл
плотнейшая упаковка
металлические

Металлы

Температура плавления элементов 4 периода

3.5 Зонная модель кристалла

Подобна методу МО для кристаллов

- число МО равно

Энергетическая диаграмма

Металлы

Nē~NА - const

Eg < 0,08 эВ

при Т↑ ⇒ μ↓
⇒

Eg > 3 эВ

Nē = 0 ⇒ σ = 0

Диэлектрики

Полупроводник

0,08 эВ < Eg < 3 эВ

при T=0 K Nē;

3.6 Кристаллические материалы (с.99 уч.пос., ч.I)

Дефекты кристаллической решетки

Электронные: ē-р (А−-

получение

расплав (жидкость),
пар (газ), раствор

3.7 Полупроводники

σ = ē⋅μē⋅Nē + ē⋅μр⋅Nр

примесные полупроводники

Пример – Si (2s22p2)

донор - P (2s22p3)

акцептор - B (2s22p1)

Электронный