Содержание
- 2. Барьер на границе металла с полупроводником (барьер Шоттки)
- 3. Работа выхода равна разности между энергией покоящегося электрона в вакууме у поверхности образца полупроводника и уровнем
- 4. Контакт металл-полупроводник
- 5. Контакт металл-полупроводник
- 6. Контакт металл-собственный полупроводник
- 7. Контакт металл-электронный полупроводник
- 8. Контакт металл-дырочный полупроводник
- 9. Без смещения:
- 10. Со смещением:
- 11. Сила изображения
- 12. Сила изображения Если теперь вблизи границы раздела металл – вакуум имеется электрическое поле , то выражение
- 13. Граница металл-полупроводник при приложении электрического поля (барьер для электрона)
- 14. Граница металл-полупроводник при приложении электрического поля (барьер для электрона) Эта функция имеет максимум в точке хm.
- 15. Прямое и обратное смещение перехода металл-полупроводник
- 16. Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение может только выпрямить границы разрешенных зон . Другими словами, при приложении
- 18. Расчет ВАХ барьера Шоттки При приложении напряжения: где - Постоянная Ричардсона
- 19. ВАХ диода Шоттки
- 20. Диод Шоттки
- 21. Диод Шоттки
- 22. ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием.
- 25. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- 26. Возникновение потенциального барьера. Контактная разность потенциалов
- 27. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- 30. Образование p-n-перехода
- 31. Перераспределение носителей, образовавшееся при контакте, и формирование потенциального барьера высотой приводит к тому, что диффузионный поток
- 32. Для того чтобы рассчитать распределения концентраций свободных носителей в приповерхностной области необходимо решить уравнение Пуассона, устанавливающее
- 33. Решение уравнения Пуассона
- 34. Толщина ОПЗ
- 35. Чем выше степень легирования n- и p-областей полупроводника, тем меньше толщина ОПЗ. Если одна из областей
- 36. Определение контактной разности потенциалов
- 37. Потенциальный барьер в pn-переходе тем выше, чем сильнее легированы p- и n-области. По мере роста температуры
- 38. Связь концентрации носителей с
- 39. Рассмотрим теперь pn-переход, к которому приложено прямое смещение Vсм (минус батареи к n-типу, плюс – к
- 40. Понижение потенциального барьера приводит к увеличению потока основных носителей заряда по сравнению с равновесным состоянием. Под
- 41. Распределение носителей заряда вблизи перехода а)
- 42. Введение в полупроводник носителей заряда с помощью pn-перехода при подаче на него прямого смещения в область,
- 43. Для ее нахождения в стационарном случае на границе с ОПЗ (при ) нужно вместо использовать значение
- 44. Распределение неосновных носителей в базе
- 45. Аналогичные явления происходят в p-области: сюда из n- области инжектируются электроны и концентрация избыточных электронов при
- 46. Если к pn-переходу приложено обратное смещение (минус батареи к p-типу, плюс – к n-типу), потенциальный барьер
- 47. Чем сильнее переход смещен в обратном направлении, тем выше потенциальный барьер, и тем меньшее количество основных
- 48. Таким образом, при обратном смещении pn-перехода ток основных носителей заряда будет меньше, чем при равновесном состоянии,
- 49. Прямое смещение p-n-перехода
- 51. Идеальная МДП–структура Если на окисел, покрывающий поверхность кристалла, нанести металлический электрод (затвор), то, изменяя его потенциал
- 52. МДП-структура
- 53. МДП-структура
- 54. На границе металл-диэлектрик, диэлектрик-полупроводник, а в отсутствии диэлектрика на границе металл-полупроводник возникает контактная разность потенциалов:
- 55. Обогащение n-тип
- 56. Обеднение n-тип p-тип
- 57. Инверсия n-тип p-тип
- 58. Допущения для «идеальной» МДП-структуры Разность работ выхода между металлом затвора и диэлектриком, диэлектриком и полупроводником, равна
- 59. МДП-структура
- 60. Для характеристики изгиба будем использовать понятие поверхностного потенциала φs
- 61. Расчет параметров
- 62. К расчету МДП-структуры (4.6) (4.7) (4.8) (4.9) (4.10) (4.11) (4.12)
- 63. Емкость барьера Шоттки
- 64. Емкость p-n–перехода
- 65. Диффузионная емкость pn-перехода
- 66. Емкость МДП-структуры
- 68. С-V-характеристики идеальной МДП-структуры
- 70. Скачать презентацию