Содержание
- 2. ТОНКИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Структуры МЕТАЛЛ – ДИЭЛЕКТРИК – МЕТАЛЛ: Конденсаторы Элементы FeRAM Другие элементы, где управление
- 3. ВЛИЯНИЕ ГРАНИЦЫ «ЭЛЕКТРОД-ДИЭЛЕКТРИК» 1. Включение внешнего электрического поля приводит к инжекции носителей из электрода (металла) в
- 4. ЗОННАЯ СТРУКТУРА В П Строго говоря, ЗЗ с четко выраженными границами является свойством только кристаллических тел
- 5. Контакты на границе металл-диэлектрик В области контакта М-Д диэлектрик, с учетом низкой концентрации носителей при нормальных
- 6. ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ Для создания омических контактов нужно, чтобы соотношение работ выхода электрона из металла и диэлектрика
- 7. При сильном обогащении, когда концентрация носителей заряда у контакта nк значительно превышает равновесную, в (1) следует
- 8. ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ ПРИ ОМИЧЕСКОМ КОНТАКТЕ
- 9. ПЛОХОЙ И ХОРОШИЙ ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ Зонные диаграммы в случае двух одинаковых контактов и в отсутствие внешней
- 10. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ НЕЙТРАЛЬНЫЙ КОНТАКТ Электрически нейтральный контакт предполагает, что в диэлектрике нет объемных зарядов и изгиба краев
- 11. ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ ПРИ НЕЙТРАЛЬНОМ КОНТАКТЕ Одинаковые и разные нейтральные контакты
- 12. Блокирующий (запирающий) контакт возникает при условии χм > χд . При этом в приконтактной области создается
- 13. ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ ПРИ БЛОКИРУЮЩЕМ КОНТАКТЕ
- 14. плохой хороший ПЛОХОЙ И ХОРОШИЙ БЛОКИРУЮЩИЙ КОНТАКТ Обедненные области простираются в диэлектрик глубоко, так, что электрическое
- 15. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
- 16. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Поиск новых материалов и новых способов хранения и обработки информации
- 17. ПОИСК НОВЫХ СПОСОБОВ ЗАПИСИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ Динамические неоднородности: изменяющиеся во времени локальные области неравновесных состояний
- 18. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК Остаточная поляризация, диэлектрическая проницаемость ε(Е), пиро- и пьезоэффекты, нелинейно-оптические свойства
- 19. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ Основные проблемы: Паровая фаза. Понятие пересыщенного пара является
- 20. МЕТОДИКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЭТП Синтез исходного оксида проводится непосредственно в процессе роста пленки (in situ) На подложку
- 21. МЕТОДИКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЭТП Эпитаксия: закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом. ЭПИТАКСИЯ ГОМОЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ d1 ≠
- 22. МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени
- 23. ЛАЗЕРНАЯ АБЛЯЦИЯ Ла́зерная абля́ция (англ. laser ablation) — метод удаления вещества с поверхности лазерным импульсом. При
- 24. ЗОЛЬ-ГЕЛЬ Золь-гель процесс (англ. sol-gel process) — технология материалов, в том числе наноматериалов, включающая получение коллоидного
- 25. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА СЭТП Определяющим признаком сегнетоэлектричества является возможность переключения между различными (мета)стабильными состояниями при приложении электрического
- 26. Во всех известных сегнетоэлектриках спонтанная поляризация создается ионами и возникает либо в результате их смещения, либо
- 27. МЕХАНИЗМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ При приложении поля в противоположном направлении будет индуцирована поляризация противоположного знака. Процесс изменения знака
- 28. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ОБРАЗЦА НА ВИД ПЕТЛИ ГИСТЕРЕЗИСА монодоменный полидоменный OL – полная поляризация сегнетоэлектрика EL –
- 30. Скачать презентацию