Содержание
- 2. История 1932 год - выдвинута гипотеза, что на границе металл-полупроводник существует так называемый туннельный эффект носителей
- 3. ВАХ туннельного диода
- 4. Точка «а»
- 5. Точка «б»
- 6. Точка «в»
- 7. Точка «г»
- 8. Точка «д»
- 9. Точка «е»
- 10. Точка «ж»
- 11. Толщина p-n перехода
- 12. Примеры т.д.
- 14. Скачать презентацию
Слайд 2
История
1932 год - выдвинута гипотеза, что на границе металл-полупроводник существует так
История
1932 год - выдвинута гипотеза, что на границе металл-полупроводник существует так
называемый туннельный эффект носителей заряда
1958 год – японский ученый Есаки сумел подтвердить эту теорию и создал первый туннельный диод
1958 год – японский ученый Есаки сумел подтвердить эту теорию и создал первый туннельный диод
Слайд 3
ВАХ туннельного диода
ВАХ туннельного диода
Слайд 4
Точка «а»
Точка «а»
Слайд 5
Точка «б»
Точка «б»
Слайд 6
Точка «в»
Точка «в»
Слайд 7
Точка «г»
Точка «г»
Слайд 8
Точка «д»
Точка «д»
Слайд 9
Точка «е»
Точка «е»
Слайд 10
Точка «ж»
Точка «ж»
Слайд 11
Толщина p-n перехода
Толщина p-n перехода
Слайд 12
Примеры т.д.
Примеры т.д.