Кристаллическое строение вещества

Содержание

Слайд 2

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Пространственно-кристаллическая

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Пространственно-кристаллическая решетка

Основные характеристики

кристаллической решетки

углы между осями α, β, γ;
периоды решетки a, b, c;
число атомов, приходящееся на ячейку n;
координационное число Z, равное числу ближайших равноудаленных атомов
коэффициент компактности К, равный доле объема ячейки, занятой атомами:

Слайд 3

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Решетка

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Решетка объемоцентрированная кубическая

(ОЦК)

Характеристики решетки

угол между осями
период решетки
число атомов на ячейку
координационное число
коэффициент компактности α = β = γ = 90°;
a = b = c;
n = 2;
Z = 8;
К = 0,68

r – наименьшее расстояние до соседних атомов

Слайд 4

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Решетка

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Решетка гранецентрированная кубическая

(ГЦК)

Характеристики решетки

угол между осями
период решетки
число атомов на ячейку
координационное число
коэффициент компактности α = β = γ = 90°;
a = b = c;
n = 4;
Z = 12;
К = 0,74

r – наименьшее расстояние до соседних атомов

Слайд 5

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Решетка

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Решетка гексагональная плотноупакованная

(ГПУ)

Характеристики решетки

угол между осями
период решетки
число атомов на ячейку
координационное число
коэффициент компактности α = β = 90°, γ = 120°;
a = b, c = 1,633;
n = 6;
Z = 12;
К = 0,74

Слайд 6

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Точечные

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Точечные дефекты

Вакансия –

это узел кристаллической решетки незанятый атомом или ионом.
Межузельный атом – атом, расположенный в межатомном пространстве кристаллической решетки

Образование вакансии или межузельного атома приводит к локальному искажению решетки кристалла

Слайд 7

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Краевая дислокация

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Краевая дислокация

Слайд 8

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Винтовая дислокация

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Винтовая дислокация

Слайд 9

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Границы

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Границы зерен и

субзерен

Малоугловые и большеугловые границы в Feγ

Слайд 10

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Диффузия

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Диффузия в металлах

Под

диффузией понимают перемещение атомов в кристаллическом теле на расстояния, превышающие средние межатомные для данного вещества
Диффузия может осуществляться по вакансионному и межузельному механизмам.

Диффузия сопровождается массопереносом.

Слайд 11

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Самопроизвольная

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Самопроизвольная кристаллизация

Изменение свободной

энергии металла

Схема процесса кристаллизации

Кривые охлаждения при кристаллизации

Слайд 12

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники» БГТУ «ВОЕНМЕХ» Рост

Кафедра «Технология конструкционных материалов и производство ракетно-космической техники»

БГТУ «ВОЕНМЕХ»

Рост зародышевых центров

с

образованием двумерного зародыша

Параметры кристаллизации
Ч.Ц. – число зародышевых центров, возникающих в единице объема за единицу времени
С.Р. – скорость увеличения линейных размеров растущего кристалла

при наличии винтовой дислокации

Кинетика кристаллизации