Содержание
- 2. Основы кристаллографии
- 3. ВВЕДЕНИЕ Большинство современных конструкционных материалов, в том числе и композиционных — это кристаллические вещества. Кристалл представляет
- 4. В современной кристаллографии можно выделить четыре направления, которые в известной мере связаны одно с другим: -
- 5. АНАЛИЗ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ РЕШЕТОК Понятие о пространственной решетке и элементарной ячейке При изучении вопроса кристаллического строения тел
- 6. Пространственная решетка — это схема, которая показывает расположение материальных частиц в пространстве. Пространственная решетка (рис.) фактически
- 7. Элементарная ячейка — это наименьший параллелепипед, с помощью которого можно построить всю пространственную решетку путем непрерывных
- 8. Правила выбора элементарной ячейки При изучении представлений об элементарной ячейке следует обратить внимание на то, что
- 9. В середине XIX в. французский кристаллограф О. Браве предложил следующие условия выбора элементарной ячейки: 1) симметрия
- 10. Примитивные и сложные элементарные ячейки По числу узлов с материальными частицами элементарные ячейки подразделяется на примитивные
- 11. В объемноцентрированной ячейке имеется дополнительный узел в центре ячейки, принадлежащий только данной ячейке, поэтому здесь имеется
- 12. Таблица 1.1 Основные сведения о примитивных и сложных ячейках Браве Под базисом понимают совокупность координат минимального
- 13. Элементарные ячейки Браве В зависимости от формы все ячейки Браве распределяются между семью кристаллическими системами (сингониями).
- 14. На рис. представлены все четырнадцать типов элементарных ячеек Браве, распределенные по сингониям. Гексагональная ячейка Браве представляет
- 15. Для ромбоэдрической сингонии элементарной ячейкой, удовлетворяющим условиям Браве, является примитивный ромбоэдр R, у которого а=в=с и
- 16. Понятие о координационном числе В сложных ячейках материальные частицы уложены более плотно, чем в примитивных, более
- 17. Пространственные решетки металлов Наиболее распространенные среди металлов пространственные решетки относительно просты. Они большей частью совпадают с
- 18. На рис. представлена элементарная ячейка гексагональной компактной решетки. Элементарная ячейка гексагональной компактной решетки представляет собой шестигранную
- 19. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ИНДЕКСЫ Кристаллографические индексы плоскости В кристаллографии часто приходится описывать взаимное расположение отдельных плоскостей кристалла, его
- 20. Выберем из этого семейства какую-либо плоскость и введем в рассмотрение отрезки, которые плоскость отсекает по координатным
- 21. Индексами (hkl) характеризуются все плоскости семейства параллельных плоскостей. Этот символ означает, что семейство параллельных плоскостей рассекает
- 22. Пример. Найти индексы плоскости, которая отсекает на координатных осях следующие отрезки: 1/2; 1/4; 1/4. Поскольку длины
- 23. Плоскости, отсекающие на каждой оси по равному числу осевых единиц, обозначаются как (111). В кубической сингонии
- 24. Плоскости, отсекающие по двум осям равное число осевых единиц и параллельные третьей оси (например, оси z)
- 25. Плоскости, пересекающие одну ось и параллельные двум другим (например, осям y и z), обозначают — (100)
- 27. Иногда индексы плоскости записывают в фигурных скобках {hkl}.Эта запись означает символ совокупности идентичных плоскостей. Такие плоскости
- 30. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ИНДЕКСЫ УЗЛА Кристаллографические индексы узла — это его координаты, взятые в долях осевых единиц и
- 31. Кристаллографические индексы направления В кристалле, где все параллельные направления идентичны друг другу, направление, проходящее через начало
- 32. Порядок нахождения индексов направления 1. Из семейства параллельных направлений выбрать такое, которое проходит через начало координат,
- 33. Некоторые направления в кубической решетке
- 34. ПОНЯТИЕ О КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ И ПОЛЯРНОМ КОМПЛЕКСЕ Метод кристаллографических проекций основан на одной из характерных особенностей кристаллов
- 35. Чаще рассматривают не кристаллический комплекс, а полярный (обратный). Полярный комплекс, получают из кристаллического (прямого) путем замены
- 36. СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МНОГОГРАННИКОВ (СИММЕТРИЯ КОНТИНУУМА) ПОНЯТИЕ О СИММЕТРИИ Кристаллы существуют в природе в виде кристаллических многогранников.
- 37. Характерной особенностью кристаллов является анизотропия их свойств: в различных направлениях они разные, но в параллельных направлениях
- 38. Рассматривая симметрию внешней огранки кристалла, кристаллическую среду представляют себе как непрерывную, сплошную, так называемый континуум (в
- 39. Элементы симметрии В кристаллических многогранниках встречаются простые элементы симметрии (центр симметрии, плоскость симметрии, поворотная ось) и
- 41. Плоскость симметрии — это такая плоскость, которая делит фигуру на две части, расположенные друг относительно друга
- 42. Поворотная ось — это такая прямая, при повороте вокруг которой на некоторый определенный угол α фигура
- 43. Графически поворотные оси изображаются многоугольниками:
- 45. Понятие о классе симметрии Каждый кристаллический многогранник обладает набором элементов симметрии. Сочетаясь друг с другом, элементы
- 46. 5. Число плоскостей симметрии, пересекающихся по главной оси высшего порядка, равно порядку этой оси. Число сочетаний
- 48. Связь между пространственной решеткой и элементами симметрии Наличие тех или иных элементов симметрии определяет геометрию пространственной
- 49. Исходя из этих правил, можно получить все семь кристаллических систем, или сингоний. Они отличаются друг от
- 51. Понятие о симметрии дисконтинуума и пространственной группе Наличие 32 классов симметрии кристаллических многогранников показывает, что все
- 52. Элементы симметрии пространственных решеток Помимо описанных выше элементов симметрии (центр симметрии, плоскость симметрии, поворотные и инверсионные
- 53. Комбинация трансляции с плоскостью симметрии приводит к появлению плоскости скользящего отражения, сочетание трансляции с поворотной осью
- 54. Винтовая ось — это прямая, поворот вокруг которой на некоторый угол, соответствующий порядку оси, с последующей
- 55. Оси 31 и 32 означают поворот вокруг оси на 120° по часовой стрелке с последующим переносом.
- 57. Обозначение пространственной группы симметрии Символ пространственной группы содержит полную информацию о симметрии кристаллической структуры. На первом
- 58. При наличии нескольких осей предпочтение отдается простым осям — поворотным и инверсионным, поскольку их симметрия является
- 59. Дефекты в строении кристаллических тел Дефекты тел делят на динамические (временные) и статические (постоянные). 1. Динамические
- 60. Точечные дефекты: незанятые узлы решетки (вакансии); смещения атома из узла в междоузлие; внедрения в решетку чужеродного
- 61. Основные свойства материалов
- 62. К основным свойствам относятся: механические, тепловые, электрические, магнитные и технологические, а также их сопротивление коррозии. Механические
- 63. Деформирование – изменение относительного расположения частиц в материале. Наиболее простые его виды – растяжение, сжатие, изгиб,
- 64. При сдвиге в материале по направлению сдвига и по нормали к нему действуют только касательные напряжения
- 65. Твердость является механической характеристикой материалов, комплексно отражающей их прочность, пластичность, а также свойства поверхностного слоя образцов.
- 66. Коррозия – физико-химический процесс изменения свойств, повреждения структуры и разрушения материалов вследствие перехода их компонентов в
- 67. Температурные характеристики. Жаростойкость – свойство материалов сохранять или незначительно изменять механические параметры при высоких температурах. Свойство
- 68. Тепловое расширение материалов регистрируют по изменению размеров и формы образцов при изменении температуры. У газов оно
- 69. Теплоемкость – отношение количества теплоты, полученной телом при бесконечно малом изменении его состояния в каком-либо процессе,
- 70. Теплопроводность – перенос энергии от более нагретых участков тела к менее нагретым в результате теплового движения
- 71. Технологические свойства материалов характеризуют податливость материалов технологическим воздействиям при переработке в изделия. Знание этих свойств позволяет
- 72. Обрабатываемость давлением порошковых материалов характеризуют их текучестью, уплотняемостью и формуемостью. Метод определения текучести основан на регистрации
- 74. Скачать презентацию