Содержание
- 2. Ионная имплантация Ионной имплантацией называют процесс внедрения в мишень ионизированных атомов с энергией, достаточной для проникновения
- 3. Ионная имплантация Ядерная и электронная компоненты мощности торможения как функции скорости ионов Электронное торможение обусловлено взаимодействием
- 4. Теория Линдхарда-Шарфа-Шиотта (ЛШШ) Ядерная тормозная способность рассматривается как результат последовательности независимых упругих двухчастичных столкновений. Максимальная передаваемая
- 5. Теория Линдхарда-Шарфа-Шиотта (ЛШШ) Электронная тормозная способность в теории ЛШШ вычисляется в приближении свободного электронного газа. Эффективность
- 6. Диффузионная модель Бирсака В теории Бирсака учитывается изменение направления движения иона после каждого столкновения. При торможении
- 7. Диффузионная модель Бирсака Теория Бирсака позволяет вычислить длину проецируемого пробега, не рассчитывая явно функцию распределения для
- 8. Ионная имплантация Общая длина траектории движения иона - длина пробега R Расстояние, проходимое ионом до остановки
- 9. Ионная имплантация Концентрация: C = атом/см3 Доза: Q = атом/см2
- 10. Ионная имплантация Недостатком описания с помощью функции Гаусса является отсутствие учета зависимости пробега внедренных ионов от
- 11. Ионная имплантация Во время имплантации ионы внедряются в подложку через открытые участки внешней поверхности и рассеиваются
- 12. Ионная имплантация Для того чтобы сравнивать концентрацию имплантированных ионов с экспериментальными одномерными ВИМС – профилями, двумерный
- 13. Ионная имплантация Латеральное (боковое ) распределение также может описываться с помощью функции распределения Гаусса:
- 14. Ионная имплантация Для описания распределения бора хорошо подходит распределение Пирсона. Распределение Пирсона учитывает четыре параметра: Rp,
- 15. Ионная имплантация Средний проецируемый пробег, он же 1-ый момент функции распределения Разброс проецируемого пробега: Несимметричность: Затухание
- 16. Ионная имплантация Распределение Пирсона :
- 17. Ионная имплантация Вследствие кристаллической природы полупроводников ионы могут проникнуть в них значительно глубже, если имплантация производится
- 18. Ионная имплантация
- 19. Ионная имплантация Первая система координат – это система, привязанная к реальной установке ионной имплантации. В этой
- 20. Ионная имплантация Угол Tilt может быть определен как угол между осями Z в первой и второй
- 21. Ионная имплантация Распределение Гаусса с обобщенным экспоненциальным «хвостом» D – доза имплантированной примеси, 1/ см-3, k
- 22. Ионная имплантация Распределение Пирсона-IV с линейно-экспоненциальным хвостом NP(x) - распределение Пирсона–IV NT(x) - функция распределения в
- 23. Ионная имплантация Распределение Пирсона -IV с линейно- экспоненциальным хвостом в переходной области А и В определяются
- 24. Ионная имплантация Результат применения усовершенствованных моделей учитывающих сильную асимметрию и эффекты каналирования
- 25. Ионная имплантация В современных системах моделирования наиболее точно распределение примеси при ионной имплантации рассчитывается с использованием
- 26. Ионная имплантация моделирование методом Монте-Карло
- 27. Ионная имплантация Вопросы современного моделирования процессов ионной имплантации: имплантация при малых энергиях имплантации, высоких дозах; распределение
- 28. Диффузия Диффузией называется перенос атомов вещества, обусловленный их хаотическим тепловым движением, в направлении уменьшения концентрации. Диффузия
- 29. Диффузия Первый закон Фика: j - плотность потока атомов; D - коэффициент диффузии; оператор дифференцирования; N
- 30. Диффузия из бесконечного источника Начальное условие для решения второго закона Фика: Граничное условие: Решение уравнения Фика:
- 31. Диффузия из бесконечного источника Предел растворимости примеси в кремнии (сплошная линия) Функция ошибки erf(x)
- 32. Диффузия из ограниченного источника Цель этапа - получение заданного распределения примеси Граничное условие (поток примеси через
- 33. Диффузия В диапазоне используемых температур коэффициент диффузии обычно описывается уравнением Аррениуса: EA - энергия активации; k
- 34. Диффузия Если собственный или примесный атом при диффузии взаимодействует с точечными дефектами (вакансии и междоузлия), то
- 35. Диффузия Для акцепторной примеси, например бора, диффузия происходит через нейтральные и положительно заряженные вакансии. Для донорной
- 36. Диффузия Дальнейшее усовершенствование моделей диффузии сводится к учету взаимодействия между точечными дефектами и примесями, учет влияния
- 37. Эпитаксия Формирование эпитаксиальных слоев с равномерным легированием может оказаться чрезвычайно затруднительным из-за неравномерности распределения легирующего вещества
- 38. Эпитаксия Модель роста слоев кремния из смеси силана с водородом и легирование эпитаксиальных слоев. Источник примеси
- 40. Скачать презентацию