Содержание
- 2. Полупроводниковые приборы и элементы ИМС Диод на основе p-n перехода Диод Шоттки P-I-N диод Резонансно-туннельный диод
- 3. Полупроводниковые приборы и элементы ИМС Биполярный транзистор Полевой транзистор с изолировнным затвором Полевой транзистор с управляющим
- 4. Полупроводниковые приборы и элементы ИМС Биполярный транзистор с изолированным затвором Вертикальный полевой транзистор
- 5. Полупроводниковые приборы и элементы ИМС Гетеробиполярный транзистор Транзистор с высокой подвижностью электронов Полевой транзистор с барьером
- 6. Полупроводниковые приборы и элементы ИМС Светоизлучающий диод Лазер Элемент солнечной батареи
- 7. Основы моделирования До 80-х годов XX века наиболее распространенным методом являлся метод разделения прибора на ряд
- 8. Основы моделирования Идеализированная модель биполярного транзистора
- 9. Основы моделирования Недостатками такого подхода являлись: идеализированное распределение примеси с ортогональными p-n переходами; задание средних значений
- 10. Основы моделирования Большей универсальностью пользуется подход в котором Фундаментальная система уравнения (ФСУ) для полупроводника решается методами
- 11. Фундаментальная система уравнений Здесь V, p, n - потенциал, концентрации дырок и электронов, CA, CD –
- 12. Фундаментальная система уравнений Ер, Еn – напряженности квазиэлектрического поля для дырок и электронов; μp, μn –
- 13. Фундаментальная система уравнений Уравнение Пуассона Уравнение Пуассона является средством для расчёта E, V. Оно является следствием
- 14. Фундаментальная система уравнений Уравнение непрерывности Рассматривается полупроводниковая структура с концентрациями СА, CD, n, p, заполняющая некоторый
- 15. Фундаментальная система уравнений Тогда уравнение баланса общего числа электронов (дырок) за единицу времени в объеме Vl
- 16. Фундаментальная система уравнений Кинетические уравнения переноса носителей заряда В общем виде векторы плотностей электронного и дырочного
- 17. Фундаментальная система уравнений В качестве базовой «квазиклассической» модели переноса носителей заряда принимается модель, основанная на следующих
- 18. Фундаментальная система уравнений Кинетическое уравнение Больцмана Для описания кинетических явлений в полупроводнике, обусловленных движением носителей заряда
- 19. Фундаментальная система уравнений Функция распределения fn определяется как вероятность согласно формуле расчёта концентраций n в полном
- 20. Фундаментальная система уравнений Столкновения приводят к переходу частиц из одного состояния в другие с вероятностью Sn(k,
- 21. Фундаментальная система уравнений Обобщенное кинетическое уравнение Больцмана изменения функции распределения, создаваемые внешними полями и движением частиц,
- 22. Фундаментальная система уравнений В предположении, что время релаксации не зависит от внешних полей и нет вырождения
- 23. Фундаментальная система уравнений Уравнения для дрейфовой скорости электрического поля может быть переписано с учетом Для малых
- 24. Фундаментальная система уравнений В предположении постоянства температуры решетки и выполнения соотношений Эйнштейна: выражения для векторов плотностей
- 25. Ограничения моделей Особенности физических являений в субмикронных полупроводниковых структурах При уменьшении линейных размеров полупроводниковых структур, а
- 26. Ограничения моделей Из экспериментальных зависимостей скорости и энергии от напряженности электрического поля (для кремния) определяются соответствующие
- 27. Ограничения моделей Например, для азотных температур (T ≈ 77 К), m ≈ 10-28 г, Дебройлевская длина
- 28. Ограничения моделей
- 29. Основы моделирования Транспортные уравнения в TCAD Выбор модели зависит от типа устройства и требуемой точности моделирования:
- 30. Дрейф-диффузионное приближение Эффективные температуры полупроводниковой структуры считаются локальными функциями электрического поля для характерных размеров структуры l>>λ
- 31. Дрейф-диффузионная модель Плотность тока носителей μn,p – подвижность носителей заряда; Фn,p – квази-потенциал Ферми. Квази-уровень Ферми
- 32. Дрейф-диффузионная модель Характеристики: статические вольт-амперные характеристики; малосигнальный AC-анализ; анализ во временной области.
- 33. Термодинамическая модель Уравнения для плотности тока: Pn,p – термоэлектрическая мощность Для определения распределения температуры используется уравнение:
- 34. Термодинамическая модель Эффекты: моделирование в диапазоне температур; саморазогрев.
- 35. Гидродинамическая модель Уравнения плотности тока Уравнения энергетического баланса Поток энергии:
- 36. Гидродинамическая модель Эффекты: разогрев электронно-дырочной плазмы; превышение скорости носителей заряда над скоростью насыщения в областях сильного
- 37. Гидродинамическая модель Зависимость частоты от напряжения база-эмиттер Выходная ВАХ полевого транзистора
- 38. Модель Монте-Карло Кинетическое уравнение Больцмана Уравнение Больцмана описывает эволюцию во времени (t) функции распределения плотности f(x,
- 39. Модель Монте-Карло Зависимости скорости и концентрации электронов от координаты тонкослойного БТ, рассчитанные с помощью диффузионно-дрейфовой модели
- 41. Скачать презентацию