Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода

Сентябрь 13, 2022

Главная
Алгебра
Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода

Содержание

2. Актуальность работы заключается в осуществлении импортозамещения закупаемых из-за границы электронных компонентов (p-i-n - диодов), используемых в
3. Цель данной работы – разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода по соответствующему техническому заданию. Для
4. Техническое задание
5. Практическая значимость работы заключается в произведении теоретических расчетов конструктивных параметров p-i-n - диода, которые в дальнейшем
6. P-i-n-диоды — это разновидность диодов, в которых полупроводниковая пластина состоит из сильно легированных p-области и n-области,
7. Пример реализации p-i-n-диода в металлокерамическом корпусе Кристаллы диодов на кремниевой пластине
9. Скачать презентацию

Слайд 2

Актуальность работы заключается в осуществлении импортозамещения закупаемых из-за границы электронных компонентов

(p-i-n - диодов), используемых в изделиях военного назначения.

Актуальность

Слайд 3

Цель данной работы – разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода

по соответствующему техническому заданию. Для достижения этой цели необходимо выполнить следующие задачи: 1. Выбор схемы включения диода. 2. Выбор технологии создания полупроводниковой структуры. 3. Выбор конструкции диода в соответствии с техническим заданием. 4. Расчет конструктивных, электрических и тепловых параметров. 5. Сборка полученной полупроводниковой структуры в корпус. 6. Измерение полученной партии диодов на соответствие техническому заданию.

Цели и задачи

Слайд 4

Техническое задание

Слайд 5

Практическая значимость работы заключается в произведении теоретических расчетов конструктивных параметров p-i-n

- диода, которые в дальнейшем послужат основанием для разработки конструкторской документации на изделие и постановки его на производство.

Практическая значимость

Слайд 6

P-i-n-диоды — это разновидность диодов, в которых полупроводниковая пластина состоит из

сильно легированных p-области и n-области, разделенных слоем сравнительно чистого высокоомного материала. Электрический контакт подводится к двум сильно легированным областям. При нулевом или обратном напряжении смещения такой диод обладает высоким импедансом на СВЧ, в то время как при небольших прямых токах импеданс очень низкий.

Структура p-i-n-диода

Общие сведения

Слайд 7