Содержание
- 2. Энергетические условия кристаллизации ΔТ = Т0 – Т - переохлаждение G =H-TS G=G(T,P) dG=dH-d(TS)=VdP-SdT dG=dH-TdS ΔG
- 3. Энергетические условия кристаллизации ΔG = ΔH - TΔS ΔG= - ΔH·ΔT/T0
- 4. Энергетические условия кристаллизации Gж=Gкр → Tпл ∆G=Gж-тв ∆T=Tпл–T кр - степень переохлаждения ΔG= - ΔH·ΔT/T0
- 5. Энергетические условия кристаллизации ΔT=T-T0 - переохлаждение ΔP=P-P0 – пересыщение Δс=с-с0 - пересыщение
- 6. Энергетические условия кристаллизации Фазовая диаграмма кристалл-пар(кристалл-раствор) P – T(C-T) диаграмма
- 7. Энергетические условия кристаллизации Фаза – однородная часть, характеризующаяся определенным составом, кристаллической решеткой и отделенная от других
- 8. Эвтектика греч. éutektos — легкоплавящийся) — нонвариантная (при постоянном давлении) точка в системе из n компонентов,
- 9. Типы фазовых диаграмм
- 10. Фазовая диаграмма Системы Y2O3-Al2O3
- 11. Кинетика кристаллизации Гиббс – теория зарождения центров кристаллизации. Переход из неравновесного(метастабильного) состояния Метастабильное состояние – появление
- 12. Скорость ЧЦК
- 13. Кинетика кристаллизации Определение ЧЦК
- 14. Линейная скорость кристаллизации ЛСК С = dl/dτ.
- 15. Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК
- 16. Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК
- 17. Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК
- 18. Влияние давления на ЧЦК и ЛСК
- 19. Определение температурного интервала кристаллизации методом принудительной кристаллизации
- 20. Суммарная(объемная) скорость кристаллизации v =f(τ,T,c,J,b) V=8l3 При c = dl/dτ =l/τ= const, T=const v = dV/dτ
- 21. Огранка кристалла и скорость роста граней Vc>Vb>Va Vc : Va = 3 Анизотропия скорости роста кристалла
- 22. Огранка кристалла и скорость роста граней Геометрический отбор Методы Бриджмана, Обреимова-Шубникова, Стокбаргера
- 23. Огранка свободно растущего кристалла V11/V01≥√¯2 V11/V01≤√¯2/2 √¯2/2 Свободно растущий кристалл стремится ограняться медленно растущими гранями.
- 24. Огранка свободно растущего кристалла
- 25. Огранка свободно растущего кристалла
- 26. Огранка кристаллов Реальный кристалл сложен пирамидами роста. Пирамиды роста граней, принадлежащих разным простым формам, неравноценны по
- 27. Огранка кристаллов Грани реальные физически возможные физически невозможные Огранка кристалла зависит от ретикулярной плотности (плотности упаковки)
- 28. Огранка кристаллов Объемноцентрированая решетка. Максимальная ретикулярная плотность для грани [110]
- 29. Огранка кристаллов Гранецентрированная решетка . Максимальная ретикулярная плотность для грани [110]
- 30. Огранка кристаллов Форм роста много Равновесная форма кристалла одна . Образована плотноупакованным гранями Пример. Алмаз.Равновесная форма
- 31. Огранка кристаллов Принцип Гиббса-Вульфа- Кюри Принцип Гиббса-Вульфа-Кюри. Равновесная форма кристалла соответствует минимуму свободной объемной и поверхностной
- 32. Теорема Вульфа σi/hi = const В равновесном кристалле расстояния от центра кристалла до граней пропорциональны их
- 33. Метод Шубникова определения равновесной формы кристалла С медленно растущих граней, принадлежащих равновесной, форме, при растворении удаляется
- 34. Элементарные процессы роста кристаллов Грань не являющаяся плотноупакованной имеет ступенчатую структуру. При T>0 ступени имеют изломы,
- 35. Рост шероховатых граней
- 36. Элементарные процессы роста кристаллов F- гладкие грани K,S – шероховатые грани Скорость роста для шероховатых граней
- 37. Рост атомарно гладких граней Концепция образовании двумерных зародышей Гиббсом, Фольмером, Коссель, Странскиц, Каишев Критический размер зародыша
- 38. Дислокационный механизм роста гладких граней Винтовые дислокации Франк, Бартона, Кабрера и Франк На практике кристаллы растут
- 39. Дислокационный механизм роста гладких граней
- 40. Установка «Гранат-2», компоненты теплового узла и Компоненты теплового узла: 1 — нагревательный элемент, 2 — блок
- 41. Монокристалл алюмо-иттриевого граната, легированного ванадием
- 42. Срезы були алюмоиттриевого граната с ванадием а,б,в — срез кристалла (просветленная пластина), г — готовое изделие
- 43. Скорость роста, пирамиды роста
- 44. Свойства кристаллов соединений Al2O3-Y2O3
- 46. Скачать презентацию