Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами
Содержание
- 2. Общая информация Кремний обладает алмазоподобной кристаллической решеткой, которая может быть представлена в виде двух взаимопроникающих гранецентрированных
- 3. Этапы производства кремния Технология получения монокристаллов полупроводникового кремния состоит из следующих этапов: 1. получение технического кремния;
- 4. Методы выращивания 1. Метод Чохральского 2. Зонная плавка
- 5. Метод Чохральского Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов
- 6. Метод Чохральского В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков
- 7. Метод Чохральского При больших массах расплава снижение стоимости становится незначительным за счет высокой стоимости кварцевого тигля
- 8. Легирование Для получения монокристаллов п- или р-типа с требуемым удельным сопротивлением проводят соответствующее легирование исходного поликристаллического
- 9. Метод зонной плавки Метод используется при выращивании монокристаллов полупроводников и диэлектриков. Выращивание кристаллов кремния методом бестигельной
- 10. Метод зонной плавки Скорость выращивания кристаллов методом БЗП вдвое больше, чем по методу Чохральского, благодаря более
- 11. Примеси в БЗП Основными фоновыми примесями в монокристаллах кремния являются кислород, углерод, азот, быстродиффундирующие примеси тяжелых
- 12. Дальнейшая обработка Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3
- 13. Дальнейшая обработка В окончательном виде кремний представляет из себя пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной
- 14. Сравнение
- 15. Дефекты Точечные дефекты (по Френкелю, по Шоттки, атомы примеси в положении замещения, атомы примеси в междоузльи)
- 17. Скачать презентацию