Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі

Июль 21, 2022

Главная
Химия
Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі

Содержание

2. Актуальність - Твердотільні інжекційні лазери - Резонансно-тунельний транзистор - Одноелектронний транзистор Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна
3. Методи вирощування КТ InAs Молекулярно променева епітаксія МОС-гідридна епітаксія Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
4. Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії Формування пересиченої газової фази Коалесценція нанокластерів Забезпечення планарності
5. Постановка задачі Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві в багатоканальному горизонтальному прямоточному
6. Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці
7. Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
8. Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔GaAss + HCl
9. Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури На кривих представлені результати розрахунку (суцільна
10. Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки GaAs InClg + 1/4As4g +
11. Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури 1 - 0 К /см, 2 -
12. Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
13. Розподіл домішок по підкладці GaAs 1,2 - Розчинність домішок низька: 3 - Розчинність домішок висока [Dostov
14. Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs
15. Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки GaAs BiClg + 1/4As4g +
16. Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs
17. Висновки Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs та легування їх домішкою
19. Скачать презентацию

Слайд 2

Актуальність
- Твердотільні інжекційні лазери
- Резонансно-тунельний транзистор
- Одноелектронний транзистор
Квантово-точкові кліткові

автомати і безпровідна електронна логіка

Слайд 3

Методи вирощування КТ InAs
Молекулярно променева епітаксія
МОС-гідридна епітаксія
Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія

Слайд 4

Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії
Формування пересиченої газової фази
Коалесценція

нанокластерів
Забезпечення планарності масиву КТ InAs

Слайд 5

Постановка задачі
Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві

в багатоканальному горизонтальному прямоточному реакторі методом низькотемпературної хлоридниї епітаксії.
Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5.
Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As.
Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In.
Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.

Слайд 6

Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування

масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі

Слайд 7

Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в

матриці GaAs у хлоридній системі

Слайд 8

Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs
GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g

↔GaAss + HCl

Слайд 9

Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури
На кривих

представлені результати розрахунку (суцільна лінія), експериментальні результати (крапки) 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 -5 К /см [Zhilyaev Yu. V. Dissertation Ioffe Institute, St. Peterburg (1990), Dostov V.L., Zhilyaev Yu. V., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 955 (1990)].

Слайд 10

Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки

GaAs

InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl

Слайд 11

Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури
1 - 0

К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 - 5 К /см

Слайд 12

Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In
InClg + 1/4As4g + 1/2H2g

↔InAss + HCl

Слайд 13

Розподіл домішок по підкладці GaAs
1,2 - Розчинність домішок низька: 3 -

Розчинність домішок висока [Dostov V.L., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Phys.-Tech. Phys. 35, 326 (1990)]

Слайд 14

Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs

Слайд 15

Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки

GaAs

BiClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔BiAss + HClg

Слайд 16

Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs

Слайд 17

Висновки
Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs

та легування їх домішкою Ві в прямоточному горизонтальному реакторі. Додаткова система Ga-HCl-H2 використовується для зарощування масиву КТ InAs легованих Ві, потрійним твердим розчином In1-xGaxAs.
Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs.
Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.

Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі

Содержание

Актуальність- Твердотільні інжекційні лазери - Резонансно-тунельний транзистор - Одноелектронний транзисторКвантово-точкові кліткові

Методи вирощування КТ InAsМолекулярно променева епітаксіяМОС-гідридна епітаксіяНизькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія

Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксіїФормування пересиченої газової фазиКоалесценція

Постановка задачіОптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві

Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування

Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в

Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g

Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температуриНа кривих