История развития оперативной памяти ЭВМ

Содержание

Слайд 2

Основные типы памяти Полупроводниковая статическая (SRAM) ячейки представляют собой полупроводниковые триггеры

Основные типы памяти

Полупроводниковая статическая (SRAM)
ячейки представляют собой полупроводниковые триггеры

используется в качестве кеш-памяти.
Полупроводниковая динамическая (DRAM)
каждая ячейка представляет собой конденсатор. Основной тип памяти, применяемый в ЭВМ.
Ферромагнитная
Использовалась на ЭВМ первых поколений, однако в последнее время интерес к ней возобновился в связи с разработками MRAM и FeRaM
Слайд 3

DRAM Принципы работы Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые

DRAM Принципы работы

Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые состоят

из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковой микросхем памяти.
Так как DRAM изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости, которые быстро теряют заряд, поэтому информацию приходится обновлять через определённые промежутки времени во избежание потерь данных. Этот процесс называется регенерация памяти.
Слайд 4

Первые чипы памяти SDRAM Патент на первый 16 битовый чип памяти

Первые чипы памяти SDRAM

Патент на первый 16 битовый чип памяти принадлежит

Thomas J. Watson работавшим в IBM в 1968
Первый коммерческий чип Intel 1103 (1024kbit) был выпущен в 1970
Слайд 5

Intel 1103

Intel 1103

Слайд 6

IBM PC, PC/XT IBM PC комплектовался 8 или 32 отдельными чипами

IBM PC, PC/XT

IBM PC комплектовался 8 или 32 отдельными чипами 2KB

SDRAM памяти.
С началом массового производства PC/XT стандартный объем памяти увеличился до 256 Кб, затем появились платы расширения объемом 384 Кб. Установка дополнительной памяти проходила следующим образом: в специальную плату расширения вставлялись микросхемы памяти, затем с помощью перемычек на материнской плате компьютеру сообщалось, сколько у него памяти.
Таким образом, суммарная емкость оперативной памяти стала достигать «целых» 640 Кб. Это было уже в 80-х годах. Именно тогда, в 1981 году, Билл Гейтс сделал свое знаменитое заявление: «640 килобайт должно хватить всем!».
Слайд 7

SIPP Этот тип памяти использовался в ПК 80286 начиная с 1982

SIPP

Этот тип памяти использовался в ПК 80286 начиная с 1982 года.

Начиная с 1983 были заменены SIMM памятью
Слайд 8

SIMM Начиная с 1983 и вплоть до конца 1990 этот тип

SIMM

Начиная с 1983 и вплоть до конца 1990 этот тип памяти

стал основным для ПК(вначале 30 контактные версии, позже 72)
Использовались чипы памяти FPM(память со страничной адресацией) и позже EDO.
Объем 256KB - 16 MB для 30 контактной версии, до 128 МВ для 72
Максимальная частота шины 75 МГц(EDO)
Слайд 9

DIMM форм-фактор модулей памяти DRAM появился в 1997 году Тактовая частота

DIMM

форм-фактор модулей памяти DRAM появился в 1997 году
Тактовая частота

66-133Mhz
Объем до 256Мб
Пропускная способность – до 1600 Мбайт/сек
Слайд 10

Rambus Ram RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в

Rambus Ram

RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в сотрудничестве

с Intel в 1996 году. Основными преимуществами были многоканальный режим и высокая тактовая чатота.
Пропускная способность памяти до 1 Гб\с
Частоты: 300-800Mhz
Недостатки: Главным и основным недостатком нового типа памяти являлись очень большая стоимость производства, а так же неверная политика лицензирования Rambus и Intel.
Применение: Использовались вместе с некоторыми первыми процессорами Pentium 4 и серверными Xeon.
Широкого распространения так и не получила, и Intel отказался от поддержки этого типа памяти.
В настоящий момент применяются в некоторых игровых приставках.
Слайд 11

DDR SDRAM В то время, как Intel продвигал RdRam AMD продолжал

DDR SDRAM

В то время, как Intel продвигал RdRam AMD продолжал усовершенствовать

SDRAM
Совместно с Samsung выпускается стандарт SDRAM II или DDR SDRAM. Основным преимуществом которого являлся двухканальный режим.
Тактовая частота 100-266Mhz
Пропускная способность до 8533 Мбайт/сек
Слайд 12

DDR2 Приходит на смену DDR в 2003 году, Основное отличие DDR2

DDR2

Приходит на смену DDR в 2003 году, Основное отличие DDR2 от

DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти, а так же пониженное электропитание 1,8 В (для DDR1 - 2,5 В )
Тактовая частота 266 МГц-600 МГцMhz
Пропускная способность 9600 МБ/с
Слайд 13

DDR3 DDR3 имеет еще более пониженное рабочее напряжение(1,5В) Возможность работы в

DDR3

DDR3 имеет еще более пониженное рабочее напряжение(1,5В)
Возможность работы в трехканальном режиме
Пропускная

способность до 19200 МБ/с
Частота : до 1200 МГц
Слайд 14

Сводная диаграмма Объем памяти

Сводная диаграмма Объем памяти

Слайд 15

Сводная диаграмма Пропускная способность памяти, МБ/с

Сводная диаграмма Пропускная способность памяти, МБ/с