Электрофизические свойства GaAs, зонная структура, полупроводящий и полуизолирующий GaAs, способы создания p-n перехода
Содержание
- 2. Электрофизические свойства Ширина запрещённой зоны при 300 K — 1.424 эВ Эффективная масса электронов — 0.067
- 3. Зонная структура Зонная структура арсенида галлия показана на рисунке, откуда видно, что этот материал обладает прямыми
- 4. Полуизолирующий GaAs Полуизолирующий GaAs используется в качестве подложек при изготовлении полупроводниковых приборов и интрегральных схем. Он
- 5. Способы создания p-n переходов Метод диффузии Эпитаксия из жидкой фазы Эпитаксия из газовой фазы
- 6. Способы создания p-n переходов Наиболее чистые кристаллы арсенида галлия в настоящее время содержат около 10-15 см3
- 7. Применение Как и кремний, арсенид галлия применяется для создания различных полупроводниковых приборов. На интегральные схемы на
- 9. Скачать презентацию