Оксид кремния и маскирующие слои на его основе

Слайд 2

Применение пленок оксида кремния Межуровневая изоляция и защита, наносимая поверх проводящих

Применение пленок оксида кремния

Межуровневая изоляция и защита, наносимая поверх проводящих слоев

(SiO2 – высококачественный диэлектрик; ε=3,9 , n=1,46 E пробоя ≥ 2∙107 В/см для слоев менее 200 нм)
Маскирование
Слайд 3

Получение SiO2 Si (тв) + О2 (газ) → Si02 (тв) Si

Получение SiO2

Si (тв) + О2 (газ) → Si02 (тв)
Si (тв) +

H2О (газ) → Si02 (тв) + 2 H2 (газ)
Слайд 4

Механизм окисления Первый вариант: пленка нарастает над исходной поверхностью кремния 1)

Механизм окисления

Первый вариант:
пленка нарастает над исходной поверхностью кремния
1) диффузия атомов кремния

через уже имеющуюся пленку окисла к поверхности
2) адсорбция молекул кислорода поверхностью из газовой фазы
3) химическая реакция окисления

Второй вариант: пленка нарастает вглубь от исходной поверхности кремния
1) адсорбция кислорода поверхностью уже имеющегося окисла,
2) диффузия кислорода через окисел к еще не окисленному кремнию,
3) собственно окисление

Слайд 5

Механизм окисления Слой кремния = d Тогда слой оксида кремния = 0,44 d

Механизм окисления

Слой кремния = d
Тогда слой оксида кремния = 0,44 d

 

Слайд 6

Механизм окисления

Механизм окисления

Слайд 7

Базовая структура диоксида кремния Кристаллический кварц Аморфный кварц

Базовая структура диоксида кремния

Кристаллический кварц

Аморфный кварц

Слайд 8

Маскирование

Маскирование

Слайд 9

Маскирование

Маскирование

Слайд 10

Маскирование

Маскирование

Слайд 11

Маскирование

Маскирование

Слайд 12

Маскирование Метод реактивного ионного травления

Маскирование

Метод реактивного ионного травления

Слайд 13

Маскирование Метод обратной литографии Фоторезист SiO2 Si металл

Маскирование

Метод обратной литографии

Фоторезист

SiO2

Si

металл